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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Puce originale d'IC de diodes de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de FDS8858CZ

Puce originale d'IC de diodes de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de FDS8858CZ

Puce originale d'IC de diodes de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de FDS8858CZ
Puce originale d'IC de diodes de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de FDS8858CZ
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Rangée 30V 8.6A, bâti extérieur 8-SOIC de transistor MOSFET de 7.3A 900mW
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
– 55°C au °C +150
Résistance thermique typique:
-7.3A
Tension:
-30V
Courant de montée subite en avant:
40-78 °C/w
Paquet:
SOP-8
Paquet d'usine:
Bobine
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introduction

FDS8858CZ

Double N-canal de transistor MOSFET de PowerTrench® de N et de P-canal : 30V, 8.6A, 17.0mΩ

P-canal : -30V, -7.3A, 20.5mΩ

Caractéristiques

Q1 : „ le RDS maximum de N-canal (dessus) = 17mΩ à VGS = 10V, „ identification = 8.6A

Le RDS maximum (dessus) = 20mΩ à VGS = 4.5V, identification = 7.3A Q2 : „ de P-canal

Le RDS maximum (dessus) = 20.5mΩ à VGS = -10V, identification = „ de -7.3A

Le RDS maximum (dessus) = 34.5mΩ à VGS = -4.5V, identification = „ de -5.6A

Capacité de puissance élevée et de remise dans un paquet extérieur très utilisé de bâti

Speedt de changement rapide

Description générale

Ces des transistors MOSFET de puissance de mode de double amélioration de N et de P-canal sont produits utilisant le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la représentation de changement supérieure. Ces dispositifs sont bien adaptés pour la basse tension et les applications à piles où la basse perte de puissance intégrée et la commutation rapide sont exigées.

„ d'application

Mâle synchrone de „ d'inverseur

CAPACITÉS ABSOLUES

VENTRES = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre Q1 Q2 Unité
VDS Vidangez à la tension de source 30 -30 V
VGS Porte à la tension de source ±20 ±25 V
Identification Vidangez actuel - des VENTRES = 25°C continus 8,6 -7,3
- Pulsé 20 -20
Palladium Dissipation de puissance pour le fonctionnement en parallèle 2,0 W
Dissipation de puissance pour l'opération simple VENTRES = 25°C 1,6
VENTRES = 25°C 0,9
TJ, TSTG Température ambiante de jonction d'opération et de stockage -55 à +150 °C


Une partie du bulletin de la cote

MAX232EIDR TI 62AY3FM/1608 SOP-16
BCV29 E6327 1237/EF SOT-89
REDE 330R RP164PJ331CS SAMSUNG 20160822 smd0603*4
REDE 1K RP164PJ102CS SAMSUNG 20160816 smd0603*4
Recherche 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L YAGEO 1627 SMD1210
C.I SN74LS244N TI 64ACSOK DIP-20
C.I P80C31SBPN 0935+ DIP-40
C.I AT89C51-24PI ATMEL 1602 DIP-40
C.I LM2575T-5.0/NOPB TI 61AY9TOE3 TO-220
C.I M27C512-10F1 St 9G003 CDIP-28
C.I 74HC245DB, 118 1618/1619 SSOP-20
MCP130T-315I/TT PUCE PLEP SOT23-3
DIODO TPD4E001DBVR TI NFYF SOT23-6
C.I SN74LS374N TI 1523+5/56C0DZK/56C0E3K DIP-20
C.I MIC 2937A-3.3BU MICREL 9834 TO-263
C.I SN74LS138N TI 67CGG1K DIP-16
DIODO DF10 SEPT 1613 DIP-4
DIODO SS14-E3/61T VISHAY 1520/S4 SMA
Recherche 33K 1%
RC0603FR-0733KL		 YAGEO 1545 SMD0603
PAC 10UF 16V X5R 10%
GRM21BR61C106KE15L		 MURATA IA6817YW3 SMD0805
PAC 0603 100NF 50V X7R 06035C104KAT2A AVX 1630 SMD0603
Recherche 2512 3R6 5% RC2512JK-073R6L YAGEO 1631 SMD2512
Recherche 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L YAGEO 1627 SMD1210
Recherche 1210 3R3 5% RC1210JR-073R3L YAGEO 1627 SMD1210
DIODO BZX84-C5V1 1601/Z2W SOT-23
DIODO BZX84-C6V2 1517/Z4W SOT-23
Recherche 10K 5%
RC0805JR-0710KL		 YAGEO 1632 SMD0805
CAPTEUR KTY11-6
Q62705-K246		 T6/S76 TO-92
C.I AD767JN ANNONCE 0604+ DIP-24
TRIAC BT151-500R 603 TO-220
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