Circuit intégré Chip Electronics Ic Chip du transformateur ADT1-1WT+ de rf
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Transformateur ADT1-1WT+ de rf
Estimations maximum
Température de fonctionnement -20°C à 85°C
Température de stockage -55°C à 100°C
Puissance de rf 0.5W
Courant de C.C 30mA
Pin Connections
POINT PRIMAIRE 3
PRIMAIRE 1
POINT SECONDAIRE 6
SECONDAIRE 4
SECONARY CT 2
NON UTILISÉ 5
Dessin d'ensemble
Caractéristiques
• excellent déséquilibre d'amplitude, 0,1 types de DB. et déséquilibre de phase, 1 degré. type. dans la largeur de bande 1dB
• lavable aqueux
• protégé sous le brevet 6 133 525 des USA
Applications
• adaptation d'impédance
• amplificateur équilibré
Caractéristiques électriques de transformateur
Ω | | INSERTION LOSS* | PHASE | AMPLITUDE |
1 | 0.4-800 | 0.4-800 0.5-700 1-400 | 1 4 | 0,1 0,5 |
* la perte par insertion est mise en référence à la perte de mi-bande, 0,3 types de DB.
Données de performance typiques
FRÉQUENCE INERTISATION ENTRÉE AMPLITUDE PHASE |
0,30 0,68 12,11 0,15 0,25 |
PERTE PAR INSERTION D'ADT1-1WT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
