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Diode émetteuse d'infrarouge à grande vitesse de diode de VSLB3940 SMD LED, RoHS conforme, 940 nanomètre, GaAlAs, DDH

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.15V 100mA 32mW/sr @ 100mA 44° Radial
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VR:
5 V
IF:
100 mA
IFM:
1.0 A
IFSM:
1.5 A
PV:
160 mW
Point culminant:

led diode smd

,

led diode strip

Introduction



Diode émetteuse d'infrarouge à grande vitesse, RoHS conforme, 940 nanomètre, GaAlAs, DDH


CARACTÉRISTIQUES
• Type de paquet : plombé
• Forme de paquet : T-1, époxyde clair
• Dimensions : Ø 3 millimètres
• Longueur d'onde maximale : λp = 940 nanomètre
• Grande vitesse • Puissance rayonnante élevée
• Radiance élevée
• Angle d'intensité réduite : ϕ = ± 22°
• Basse tension en avant
• Approprié à l'opération en cours d'impulsion élevée
• Bon assortiment spectral aux détecteurs photoélectriques de SI
• Composant sans d'avance (Pb)
• Composant sans d'avance (Pb) selon RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

CAPACITÉS ABSOLUES

PARAMÈTRECONDITION D'ESSAI SYMBOLEVALEURUNITÉ
Tension inverse VR5V
Courant en avant SI100 mA
Crête en avant actuelletp/T = 0,1, tp = 100 µsIFM1,0
Augmentez en avant actueltp = 100 µsIFSM 1,5
Dissipation de puissance Picovolte160mW
La température de jonction Tj100°C


Diode émetteuse d'infrarouge à grande vitesse, RoHS conforme, 940 nanomètre, GaAlAs, DDH

BULLETIN DE LA COTE

PM200CBS060200MITSUBISH04+MOUDLE
LT1167CS88718LINÉAIRE16+SOP-8
PEB4266VV1.25900 15+QFN
MC55I356CINTERION15+GPRS
LNK302PN4654PUISSANCE15+DIP-7
PEB20570FV3.15700 15+QFP
LM2594M-123000NSC15+SOP-8
LTC5532ES66155LT16+IVROGNE
OP77AZ/8836340ANNONCE16+CDIP
M27W401-80N63906St16+TSOP
MAX547ACQH1520MAXIME15+PLCC
LMV931MFX6380NSC15+SOT-23
LMC6482IM4926NSC14+SOP-8
MAX14803CCM5500MAXIME15+QFP
PIC16F77-I/PT4978PUCE16+TQFP
LM2937ES-3.36846NSC14+TO-263

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