Perle de ferrite en céramique des condensateurs SMD C1608X5R1A226MT pour le général
multilayer ceramic chip capacitors
,smd ceramic capacitor
Perle de ferrite en céramique des condensateurs SMD C1608X5R1A226MT pour le général
Condensateurs en céramique C1608X5R1A226MT pour l'usage général SMD
CARACTÉRISTIQUES
• La capacité élevée a été réalisée par les technologies de précision qui permettent l'utilisation des couches diélectriques en céramique de diluant multiple.
• Une structure monolithique assure la force et la fiabilité mécaniques supérieures.
• Le support automatique de grande précision est facilité par l'entretien des tolérances dimensionnelles très précises.
• Composé de céramique et de métaux seulement, ces condensateurs fournissent la représentation extrêmement fiable, ne montrant pratiquement aucune dégradation même lorsque soumis aux extrémités de la température.
• La basse capacité égarée assure la conformité élevée avec des valeurs nominales, simplifiant de ce fait le processus de conception de circuit.
• La basse inductance résiduelle assure des caractéristiques de fréquence supérieures.
IDENTIFICATION DES PRODUITS
C ch 1005 1H 100 D□
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7)
Dimensions L×W
0603 0.6×0.3mm
1005 1.0×0.5mm
1608 1.6×0.8mm
2012 2.0×1.25mm
3216 3.2×1.6mm
Caractéristiques de la température de capacité
Caractéristiques de la température Température ambiante de changement de capacité
C0G 0±30ppm/°C – 55 à +125°C
Caractéristiques de la température Changement de capacité Température ambiante
X7R ±15% – 55 à +125°C
X5R ±15% – 55 à +85°C
Y5V +22, – 82% – 30 à +85°C
Tension évaluée EDC
0J | 6.3v |
1A | 10V |
1C | 16V |
1E | 25V |
1H | 50V |

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
