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Transistors de transistor MOSFET de puissance de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts paquet SO−8 d'IC de puce de N−Channel de mode électronique d'amélioration de double

fabricant:
On Semi / Catalyseur Semi
Description:
Bâti extérieur 8-SOIC de la rangée 20V 3.92A 730mW de transistor MOSFET
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain−to−Source:
20 V
Température ambiante d'opération et de température de stockage:
−55 à +150°C
Tension de Drain−to−Gate:
20 V
La température maximum d'avance:
260°C
Point culminant:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Introduction

Transistors de transistor MOSFET de puissance de NTMD6N02R2G 6,0 ampères, 20 volts


Caractéristiques
• Le RDS très réduit (dessus)

• La vie de batterie de élargissement de rendement plus élevé

• Commande de porte de niveau de logique

• Double paquet extérieur miniature du bâti SOIC−8

• La diode montre la récupération à grande vitesse et douce

• L'énergie d'avalanche a spécifié

• SOIC−8 montant des informations fournies

• Le paquet de Pb−Free est disponible
Applications

• Convertisseurs de DC−DC

• Contrôle de moteur de basse tension

• Gestion de puissance dans les produits portatifs et de Battery−Powered, par exemple, les ordinateurs, les imprimantes, les téléphones cellulaires et sans fil et les cartes de PCMCIA

ESTIMATIONS MAXIMUM (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Estimation Symbole Valeur Unité
Tension de Drain−to−Source VDSS 20 V
Tension de Drain−to−Gate (RGS = 1,0 M) VDGR 20 V
− de tension de Gate−to−Source continu VGS 12 V
Résistance thermique,
Junction−to−Ambient
Dissipation de puissance totale
VENTRES de Current@ de drain = 25°C continus
VENTRES de Current@ de drain = 70°C continus
Courant pulsé de drain
RJA
Palladium
Identification
Identification
IDM
62,5
2,0
6,5
5,5
50
°C/W
W


ESTIMATIONS MAXIMUM (TJ = 25°C sauf indication contraire) (suite)

Estimation Symbole Valeur Unité
Température ambiante d'opération et de température de stockage TJ, Tstg −55 à +150 °C
− simple d'énergie d'avalanche de Drain−to−Source d'impulsion commençant TJ = 25°C (VDD = 20 volts continu, VGS = 5,0 volts continu, crête l'IL = 6,0 Apk, L = 20 MH, RG = 25) EAS 360 MJ
La température maximum d'avance pour le soudure pendant 10 secondes TL 260 °C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 St 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 PUCE 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 PUCE 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANNONCE 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANNONCE 14+ CONCESSION
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 PUCE 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 St 15+ CONCESSION
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANNONCE 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 FNI 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MODULE
AD620AN 4162 ANNONCE 14+ IMMERSION
AD8139ACPZ 4194 ANNONCE 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ IMMERSION
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ IMMERSION
DF10S 4290 SEPT 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ IMMERSION
TMS320C50PQ80 4386 TI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

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