Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2
thyristor diode module
,low voltage power mosfet
IXFN38N100Q2
Transistor MOSFET de puissance de HiPerFETTM
Avalanche de mode d'amélioration de N-canal évaluée, bas Qg, bas Rg intrinsèque haut dV/dt, bas trr
VDSS = 1000 V
IDENTIFICATION25 = 38 A
Le RDS (dessus) = 0,25 Ω
≤ 300 NS de trr
Caractéristiques
• Double processus en métal pour la basse résistance de porte
• miniBLOC, avec l'isolement de nitrure en aluminium
• La commutation inductive Unclamped (UIS) a évalué
• Basse inductance de paquet
• Redresseur intrinsèque rapide
Applications
• Convertisseurs de DC-DC
• alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode
• Couperets de C.C
• Générateurs d'impulsion
Avantages
• Facile à monter
• L'épargne d'espace
• Densité de puissance élevée
Estimations maximum
Symbole | Conditions d'essai | MAXIMUM. | UNITÉ |
---|---|---|---|
VDSS | TJ = 25°C à 150°C | 1000 | V |
VDGR | TJ = 25°C à 150°C ; RGS = 1 MΩ | 1000 | V |
VGS | Continu | ±30 | V |
VGSM | Coupure | ±40 | V |
Identification25 | Comité technique = 25°C | 38 | |
IDM | Comité technique = 25°C, durée d'impulsion limitée par TJM | 152 | |
IAR | Comité technique = 25°C | 38 | |
OREILLE | Comité technique = 25°C | 60 | MJ |
EAS | Comité technique = 25°C | 5,0 | J |
dv/dt |
EST le ≤ IDM, le ≤ 100 A/µs, le ≤ VDSS de di/dt de VDD ≤ 150°C, RG de TJ = Ω 2 |
20 | V/ns |
Palladium | Comité technique = 25°C | 890 | W |
TJ | -55… +150 | °C | |
TJM | 150 | °C | |
Tstg | -55… +150 | °C | |
VISOL | 50/60 hertz, RMS, t = 1 minute | 2500 | V |
DM |
Montage du couple Couple de connexion terminale |
1.5/13 1.5/13 |
Nm/lb.in. Nm/lb.in. |
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
SN74HC00DR | 4211 | TI | 15+ | SOP14 |
NDS9956A | 4215 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
MC33202DR2G | 4227 | SUR | 16+ | SOP8 |
ICE2B265 | 4250 | 14+ | DIP-8 | |
SS32-E3/57T | 4250 | VISHAY | 14+ | DO214 |
SI3867 | 4258 | VISHAY | 14+ | SOT-163 |
APM4953 | 4275 | APM | 16+ | SOP8 |
LM1117MPX-5.0 | 4288 | NS | 16+ | SOT223 |
3224W-1-103E | 4300 | BOURNS | 13+ | SMD |
TNY276GN | 4300 | PUISSANCE | 15+ | SOP-7 |
MIC5235-1.8YM5 | 4300 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
HCF4052BEY | 4399 | St | 16+ | IMMERSION |
M82C51A-2 | 4400 | OKI | 14+ | IMMERSION |
MUR1620CTRG | 4400 | SUR | 14+ | TO-220 |
IRF7329 | 4412 | IR | 14+ | SOP-8 |
HSMP-3816 | 4433 | AVAGO | 16+ | SOT153 |
SMDJ54CA | 4440 | LITTELFUS | 16+ | SMD |
GP1A51HR | 4444 | DIÈSE | 13+ | DIP-4 |
P2804BDG | 4444 | NIKO | 15+ | TO252 |
AP9962GH | 4450 | AP | 16+ | TO-252 |
AD1955ARSZ | 4457 | ANNONCE | 16+ | SSOP-28 |
AMS1083CT-3.3 | 4470 | L'AMS | 14+ | TO-220 |
1N4747A | 4500 | St | 14+ | DO-41 |
FDB8447L | 4500 | FSC | 14+ | TO-263 |
INA118P | 4500 | TI | 16+ | DIP-8 |
IRFR9024NTRPBF | 4500 | IR | 16+ | TO-252 |
NL17SZ06 | 4500 | SUR | 13+ | SOT553 |
Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
TDA2050 | 4500 | St | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A a stabilisé le bâti de rail de vacarme d'alimentation d'énergie
Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V
Modem de données du paquet flexible de Chip Low Power GMSK du circuit intégré CMX909BD5
UPS161 Signal de synchronisation contrôlant les circuits imprimés CMOS LSI
Image | partie # | Description | |
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Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC |
1 Port RJ45Through Hole 10/100 Base-TX, AutoMDIX
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6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A a stabilisé le bâti de rail de vacarme d'alimentation d'énergie |
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Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V |
IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
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Modem de données du paquet flexible de Chip Low Power GMSK du circuit intégré CMX909BD5 |
38.4k Modem 24-SSOP
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UPS161 Signal de synchronisation contrôlant les circuits imprimés CMOS LSI |
GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
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