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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD

Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD

Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD
Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD
fabricant:
On Semi / Catalyseur Semi
Description:
Arrêt de champ d'IGBT 600 V 80 A 349 W par le trou TO-247-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collecteur à la tension d'émetteur:
600 V
Porte à la tension d'émetteur:
± 20 V
Courant de collecteur pulsé:
120 A
Courant en avant maximum pulsé de diode:
120 A
La température de jonction fonctionnante:
-55 à +175℃
Température de stockage:
-55 à +175℃
Point culminant:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Introduction

FGH40N60SMDF

600V, arrêt de champ 40A IGBT

Caractéristiques

• La température de jonction maximum : TJ =175℃

• Coefficient positif de Temperaure pour l'opération parallèle facile

• Capacité à forte intensité

• Basse tension de saturation : VCE (s'est reposé) =1.9V (type.) @ IC = 40A

• Impédance élevée d'entrée

• Commutation rapide

• Serrez la distribution de paramètre

• RoHS conforme

Applications

• Inverseur solaire, UPS, SMPS, PFC

• Chauffage par induction

Description générale

Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications solaires d'inverseur, d'UPS, de SMPS, d'IH et de PFC où la basse conduction et les pertes de changement sont essentielles.

Capacités absolues

Symbole Description Estimations Unités
VCES Collecteur à la tension d'émetteur 600 V
VGES Porte à la tension d'émetteur ± 20 V
IC Courant de collecteur @ comité technique = 25℃ 80
Courant de collecteur @ comité technique = 100℃ 40
Missile aux performances améliorées (1) Courant de collecteur pulsé 120
SI Courant en avant de diode @ comité technique = 25℃ 40
Courant en avant de diode @ comité technique = 100℃ 20
IFM (1) Courant en avant maximum pulsé de diode 120
Palladium Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25℃ 349 W
Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100℃ 174 W
TJ La température de jonction fonctionnante -55 à +175 ℃
Tstg Température ambiante de température de stockage -55 à +175 ℃
TL

Temp maximum d'avance. pour le soudure,

1/8" du point de droit pendant 5 secondes

 300 ℃

Notes : 1 : Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
EL817B-F 12000 EL 16+ IMMERSION
EL817C-F 12000 EVERLIGHT 16+ IMMERSION
EL817S (A) (VENTRES) - F 68000 EVERLIGHT 12+ SOP-4
EM639165TS-6G 7930 ETRONTECH 15+ TSOP-54
EM63A165TS-6G 13467 ETRONTECH 14+ TSOP-54
EM78P459AKJ-G 9386 EMC 15+ DIP-24
EMI2121MTTAG 5294 SUR 15+ DFN
ENC28J60-I/SO 7461 PUCE 16+ SOP-28
EP1C3T144C8N 3452 ALTERA 13+ QFP144
EP3C5F256C8N 2848 ALTERA 15+ BGA
EP3C80F780I7N 283 ALTERA 16+ BGA
EP9132 3575 L'EXPLOREZ 16+ TQFP-80
EPC1213LC-20 3527 Alt 03+ PLCC20
EPC1213PC8 8853 ALTERA 95+ DIP-8
EPC2LI20N 2794 ALTERA 13+ PLCC
EPM7032SLC44-10N 2472 ALTERA 13+ PLCC44
EPM7064SLC44-10N 2498 ATLERA 15+ PLCC
EPM7128SQC100-10N 1714 ALTERA 12+ QFP
ERA-1SM+ 3210 MINI 15+ SOT-86
ES1B-E3/61T 18000 VISHAY 14+ DO-214AC
ES2G-E3/52T 12000 VISHAY 16+ SMB
ES2J-E3/52T 12000 VISHAY 13+ DO-214AA
ES3J 12000 FSC 15+ SMC
ES56031S 3498 Es 16+ SOP-24
ESAD92-02 6268 FUIJ 16+ TO-3P
ESD112-B1-02EL E6327 23000 15+ TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G 9000 SUR 13+ SOD-523
ESD5Z7.0T1G 12000 SUR 16+ SOD-523
ESDA6V1SC5 51000 St 15+ SOT23-5
ESP-12E 3991 AI 16+ SMT

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