Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Nouveaux et originaux 50 TRIACS BTA40-600B du module d'alimentation de transistor MOSFET de mA 40A

Nouveaux et originaux 50 TRIACS BTA40-600B du module d'alimentation de transistor MOSFET de mA 40A

Nouveaux et originaux 50 TRIACS BTA40-600B du module d'alimentation de transistor MOSFET de mA 40A
Nouveaux et originaux 50 TRIACS BTA40-600B du module d'alimentation de transistor MOSFET de mA 40A
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
TRIAC Standard 600 V 40 A Chassis Mount RD91
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
IT(RMS):
40 A
VDRM/VRRM:
600 and 800 V
IGT (Q1):
50 mA
IGM:
8 A
PG(AV):
1 W
I t:
880 A s
Point culminant:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

Introduction


TRIACS 40A

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES :

Symbole Valeur Unité
SERVICE INFORMATIQUE (RMS) 40
VDRM/VRRM 600 et 800 V
IGT (Q1) 50 mA


DESCRIPTION
Disponible en paquets de puissance élevée, la série de BTA/BTB40-41 convient à la commutation d'usage universel de courant alternatif. Ils peuvent être employés comme fonction "MARCHE/ARRÊT" dans les demandes telles que les relais statiques, règlement de chauffage, chauffe-eau, moteur à induction mettant en marche des circuits, appareil à souder… ou d'opération de contrôle de phase dans les contrôleurs de vitesse de moteur de puissance élevée, circuits mous de début…

Grâce à leur technique d'ensemble d'agrafe, ils fournissent une représentation supérieure dans le courant de montée subite manipulant des capacités.

À l'aide d'une protection en céramique interne, la série de BTA fournit la tension étiquette isolée (évaluée à 2500 V RMS) étant conforme aux normes d'UL (dossier réf. : E81734).


CAPACITÉS ABSOLUES
Symbole Paramètre Valeur Unité

SERVICE INFORMATIQUE (RMS)

Courant de sur-état de RMS
(pleine onde sinusoïdale)

 RD91 Comité technique = 80°C 40
TOP3
Institut central des statistiques TOP3. Comité technique = 70°C
ITSM

Sur-état maximal de montée subite non répétitive
actuel (plein cycle, Tj = 25°C) initial

 F = 60 hertz t = Mme 16,7 420
F = 50 hertz t = Mme 20 400
Il Je valeur de t pour la fusion tp = Mme 10 880 Un s
dI/dt

Taux critique de hausse du courant de sur-état
IG =2xIGT, ≤ 100 NS de TR

 F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tension hors état de crête non répétitive de montée subite tp = Mme 10 Tj = 25°C

VDRM/VRRM
+ 100

 V
IGM Courant maximal de porte tp = 20 µs Tj = 125°C 8 V
PAGE (POIDS DU COMMERCE) Dissipation de puissance moyenne de porte Tj = 125°C 1 W

Tstg
Tj

Température ambiante de jonction de stockage
Température ambiante fonctionnante de jonction

- 40 + à 150
- 40 + à 125

 °C



CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj = 25°C, sauf indication contraire)

Symbole Conditions d'essai Quart de cercle Valeur Unité
IGT (1) VD = 12 V RL = Ω 33

I - II - III
IV

 MAXIMUM.

50
100

mA
VGT TOUS MAXIMUM. 1,3 V
VGD VD = VDRM RL = kΩ 3,3 Tj = 125°C TOUS Mn. 0,2 V
IH (2) service informatique = 500 mA MAXIMUM. 80 mA
L'IL IG = 1,2 IGT

I - III - IV
II

MAXIMUM.

70
160

 mA
dV/dt (2) VD = porte Tj = 125°C ouverts de 67 % VDRM Mn. 500 V/µs
(dV/dt) c (2) (dI/dt) c = 20h du matin Tj = 125°C Mn. 10 V/µs

PRODUITS CONNEXES
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original

SKY65336-11 stock nouveau et original

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Image partie # Description
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original

SKY65336-11 stock nouveau et original
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
5pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Tous droits réservés.