Semiconducteur MOSFET complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
Semiconducteur MOSFET complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G
− MJ15023, MJ15025* DE PNP
Transistors de puissance de silicium
Les MJ15023 et les MJ15025 sont des transistors de puissance de PowerBase conçus pour l'audio de puissance élevée, les positionneurs principaux de disque et d'autres applications linéaires.
Caractéristiques
• Région élevée d'opération sûre (100% examiné) −2 A @ 80 V
• HFE élevé de − de gain actuel de C.C = 15 (minute) @ IC = 8 CDA
• Les paquets de Pb−Free sont Available*
MJ1502x = code de dispositif
x = 3 ou 5
G = paquet de Pb−Free
= emplacement d'Assemblée
Y = année
WW = semaine de travail
MEX = pays d'origine
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Dispositif | Paquet | Expédition |
| MJ15023 | TO−204 | 100 unités/plateau |
| MJ15023G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 unités/plateau |
| MJ15025 | TO−204 | 100 unités/plateau |
| MJ15025G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 unités/plateau |
Il y a deux limitations sur la capacité powerhandling d'un transistor : la température de jonction moyenne et deuxième panne. Les courbes de secteur de fonctionnement sûr indiquent que le − VCE d'IC limite du transistor qui doit être observé pour l'opération fiable ; c.-à-d., le transistor ne doit pas être soumis à une plus grande dissipation que les courbes indiquent.
Les données du schéma 1 sont basées sur TJ (PK) = 200C ; Le comité technique est variable selon des conditions. Aux températures de carter élevées, les limitations thermiques réduiront la puissance qui peut être manipulée aux valeurs moins que les limitations imposées par la deuxième panne.
CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC