La carte d'IC de capteur de pression de CNY65A ébrèche IC Chip Optocoupler avec la sortie de phototransistor
temperature sensor ic
,electronic pressure sensors
CNY65A
Coupleur optique, sortie de phototransistor, tension très élevée d'isolement
Caractéristiques
• Tension évaluée d'isolement (le RMS inclut le C.C) VIOWM = 1000 VRMS (crête de 1450 V)
• Tension assignée de tenue aux crêtes répétitives VIORM (répétitif) = 1000 VRMS
• Épaisseur par le ≥ d'isolation 3 millimètres
• Résistance actuelle d'ascension selon l'index de cheminement de comparatif de VDE 0303/IEC 60112 : ≥ 200 de CTI • Composant sans plomb
• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
Approbations d'agence
• UL1577, code Hollerith, &K de J, double protection de système de no. E76222 de dossier
• En 60747-5-5 d'en 60747-5-2 (VDE0884) DIN DIN en suspens
• Le VDE a rapporté des caractéristiques :
• Tension assignée de tenue aux chocs (surtension passagère) VIOTM de = crête 8 kilovolts
• Tension d'essai d'isolement (tension partielle d'essai de décharge) Vpd de = crête 2,8 kilovolts
Applications
Circuits pour la séparation protectrice sûre contre le choc électrique selon la classe de sécurité II (isolement renforcé) : Pour l'APPL. classe I - IV au ≤ de tension de canalisations 300 V pour l'APPL. classe I - IV au ≤ de tension de canalisations 600 V pour l'APPL. classe I - III à canalisation tension ≤ 1000 V selon DIN en 60747-5-2 (VDE0884 en)/DIN 60747 - 5-5 en suspens, tableau 2, approprié à : alimentations d'énergie de Commutateur-mode, ligne récepteur, interface de périphérique d'ordinateur, interface de système de microprocesseur.
Description
Les CNY64/CNY65/CNY66 se composent d'un phototransistor optiquement couplé à une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium dans un paquet en plastique de 4 bornes. Les composants simples sont montés vis-à-vis d'un un autre, fournissant une distance entre l'entrée et sortie pour les exigences de sécurité les plus élevées de > 3 millimètres.
Une partie du bulletin de la cote
| PAC 100NF 50V X7R CL05B104KB5NNNC | SAMSUNG | AC82ODH | SMD0402 |
| PAC 4,7UF 10V X5R 10% CL21A475KPFNNNE | SAMSUNG | ACABOJN | SMD0805 |
| PAC 1NF 2KV X7R 10% CL31B102KJFNNNE | SAMSUNG | ACA9ORJ | SMD1206 |
| NPO CL05C100JB5NNNC de la PAC 0402 10PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| NPO CL05C220JB5NNNC de la PAC 0402 22PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| PAC 0805 1UF 16V X5R CL21A105KOFNNNE |
SAMSUNG | ACA7OCC | SMD0805 |
| Recherche 0402 10K 5% RC0402JR-0710KL |
YAGEO | 1646 | SMD0402 |
| Recherche 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Recherche 0402 220R 5% RC0402JR-07220RL | YAGEO | 1625 | SMD0402 |
| Recherche 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Recherche 0402 4K7 5% RC0402JR-074K7L |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Recherche 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Recherche 0402 49R9 1% RC0402FR-0749R9L | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Recherche 0402 12K1 1% RC0402FR-0712K1L | YAGEO | 1644 | SMD0402 |
| PAC ELETR 1000UF 50V RF1H102M12.5X25 | NANTUNG | 16+ | SMD |
| C.I MCP9700AT-E/TT | PUCE | AFWJ | SOT23-3 |
| RC0805JR-0710KL | YAGEO | 1630 | SMD0805 |
| DIODO DF06S | SEPT | 1611 | SOP-4 |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | ZETEX | 1243 | TO-252 |
| RC0805JR-071ML | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | St | 620 | TO-220 |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | LITE-ON | 1644 | SOP-6 |
| Recherche 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | YAGEO | 1518 | SMD1206 |
| PAC 220NF 100V 10% X7S C2012X7S2A224K085AE | TDK | IB16H30223SD | SMD0805 |
| RC0805JR-07330RL | YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| DIODO PTZTE2518B | ROHM | 1639/18B/69 | SMA |
| C.I MT29F4G08ABADAWP : D | MICRON | 1402 | TSOP-48 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1632/GDE | SMC |
| C.I ADS8344E | TI | 4ACZLLK | SSOP-20 |
| C.I DAC 7714U | TI | 21AQSQT | SOP-16 |
Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08
GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal
Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V
La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY
VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL
résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150
Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre