Nouveau/original transistor BIPOLAIRE de transistor MOSFET de puissance de NPN 120 volts 0,5 ampères de 2N1893
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Point culminant:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Introduction
| ESTIMATION | SYMBOLE | MAXIMUM. | UNITÉ |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 80 | Volts continu |
| Tension de collecteur-émetteur | VCER | 100 | Volts continu |
| Tension de collecteur-base | VCBO | 120 | Volts continu |
| Tension d'Émetteur-base | VEBO | 7,0 | Volts continu |
| Courant de collecteur - continu | IC | 0,5 | CDA |
| La dissipation totale @ T de dispositif A = 25oC sous-sollicitent au-dessus de 25oC | Palladium | 0,8 | Watt mW/oC |
| La dissipation totale @ T de dispositif C = 25oC sous-sollicitent au-dessus de 25oC | Palladium | 3,0 | Watt mW/oC |
| Chaîne de température de fonctionnement | TJ | -55 à +200 | OC |
| Température ambiante de température de stockage | SOLIDES TOTAUX | -55 à +200 | OC |
| Résistance thermique, jonction à ambiant | RqJA | 219 | oC/W |
| Résistance thermique, jonction à enfermer | RqJA | 58 | oC/W |
Contour mécanique
| CARACTÉRISTIQUES | SYMBOLE | Mn. | TYPE. | MAXIMUM. | UNITÉ |
| Outre des caractéristiques | |||||
| Tension claque de collecteur-émetteur (I C = 100 mAdc, RBE = 10 ohms) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Tension soutenante de collecteur-émetteur (1) (I C = 30 mAdc, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Tension claque de collecteur-base (I C = 100 mAdc, IE = 0) | LA BV (BR) CBO | 120 | -- | Volts continu | |
| Tension claque d'Émetteur-base (IE = 100 mAdc, IC = 0) | LA BV (BR) CBO | 7,0 | -- | ||
| Courant de coupure de collecteur (V CB = 90 volts continu, IE = 0) (V CB = 90 volts continu, IE = 0, MERCI = 150o C) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Courant de coupure d'émetteur (VEB = 5,0 volts continu, IC = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Sur des caractéristiques | |||||
| D.C. Current Gain (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 volts continu) (I C = 10mAdc, VCE = 10 volts continu) (1) (I C = 10mAdc, VCE = 10 volts continu, MERCI = -55o C) (1) (I C = 150mAdc, VCE = 10 volts continu) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Tension de saturation de collecteur-émetteur (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (SAT) | -- | 0,5 | Volts continu | |
| Tension de saturation d'émetteur de base (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (SAT) | -- | 1,3 | Volts continu | |
| Importance de petit rapport actuel de court-circuit de signal en avant (I C = 50 mAdc, VCE = 10 volts continu, f = 20 mégahertz) | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Capacité de sortie (V CB = 10 volts continu, IE = 0, f = 1,0 mégahertz) | COBO | 5 | 15 | PF | |
| Impédance d'entrée = (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 volts continu, f = 1.0kHz) | hib | 4,0 | 8,0 | Ohms | |
| Rapport de retour de tension (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz) | hrb | -- | 1,5 | X 10-4 | |
| Gain actuel de De petite taille-signal (I C = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 kilohertz) (I C = mAdc 5,0, VCB = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Accès de sortie (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 volts continu, f = 1,0 kilohertz) | fraise-mère | -- | 0,5 | mmho | |
| Réponse d'impulsion (Vcc = 20Vdc, IC = 500mAdc) | tonne + tof | -- | 30 | NS |
(1) essai d'impulsion : Mme du £ 300 de durée d'impulsion, £ 2,0% de coefficient d'utilisation.
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100pcs