STN1HNK60 N-canal 600v - 8ω - transistors de transistor MOSFET de 1a Dpak/To-92/Ipak/Sot-223 Supermesh
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDS:
600V
VGS:
± 30V
dv/dt:
3 V/ns
Tstg/Tj:
-55 to 150°C
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
STN1HNK60
N-CANAL 600V - 8Ω - transistor MOSFET de 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH
Caractéristiques
■Ω 8 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'ESD A AMÉLIORÉ LA CAPACITÉ
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■NOUVELLE RÉFÉRENCE À HAUTE TENSION
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
APPLICATIONS
■CHARGEURS DE BATTERIE DE PUISSANCE FAIBLE
■APPROVISIONNEMENTS DE PUISSANCE FAIBLE DE MODE DE SWITH (SMPS)
■PUISSANCE FAIBLE, BALLAST, CFL (LAMPES FLUORESCENTES COMPACTES)
DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une extrémité
optimisation de PowerM basé sur bande bien établi du St
- Disposition d'ESH™. En plus de pousser le signi de sur-résistance
- ficantly vers le bas, le soin spécial est pris pour assurer très un bon
capacité de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Tel
la série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension
y compris les produits révolutionnaires de MDmesh™.
Capacités absolues
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | ||
| DPAK/IPAK | TO-92 | SOT-223 | |||
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Tension de source de porte | ± 30 | V | ||
| Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C | 1,0 | 0,4 | 0,4 | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C | 0,63 | 0,25 | 0,25 | |
| IDM (•) | Courant de drain (pulsé) | 4 | 1,6 | 1,6 | |
| PTOT | Dissipation totale à comité technique = 25°C | 30 | 3 | 3,3 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,24 | 0,025 | 0,025 | W/°C | |
| dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 3 | V/ns | ||
| Tj Tstg |
La température de jonction fonctionnante Température de stockage |
-55 à 150 | °C | ||
(•) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤1.0A, di/dt ≤100A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
BULLETIN DE LA COTE
| M28W160CT70N6E | 3880 | St | 16+ | TSOP |
| 74LCX125MTCX | 7500 | FAIRCHILD | 16+ | TSOP |
| MC33298P | 3206 | SUR | 14+ | IMMERSION |
| MAX1488ECPD | 5650 | MAXIME | 16+ | IMMERSION |
| MMBT5551LT1G | 20000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
| MAX1232ESA+ | 30000 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| LA7838 | 5192 | SANYO | 15+ | PETITE GORGÉE |
| MC68000P8 | 3610 | MOT | 15+ | IMMERSION |
| L6283-1.3 | 2938 | St | 14+ | QFP |
| MRF182 | 6386 | MOTOROLA | 14+ | SMD |
| MAX17435ETG | 6850 | MAXIME | 14+ | QFN |
| FOD817C | 2200 | FSC | 16+ | SOP-4 |
| AME8500AEETAF29Z | 1600 | AME | 13+ | SOT-23 |
| IRF3710 | 1500 | IR | 14+ | TO-220 |
| MIC2075-1YM | 6382 | MICREL | 16+ | CONCESSION |
| MRF160 | 637 | MOT | 15+ | MODÈLE |
| BLW33 | 156 | PHI | 15+ | SOT122A |
| BLW32 | 156 | PHI | 14+ | SOT122A |
| MIC39102YM | 6490 | MICREL | 16+ | SOP-8 |
| AT28C64B-15SI | 2300 | ATMEL | 16+ | SOP28 |
| MAX811MEUS-T | 8041 | MAXIME | 16+ | IVROGNE |
| 74LVC244AD | 7500 | 16+ | CONCESSION | |
| DS1722S+T | 5760 | MAXIME | 14+ | SOP-8 |
| BT136-600E | 2100 | 15+ | TO-220 | |
| PM75CFE060 | 280 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| BT137S-800G | 10000 | 15+ | TO220 | |
| MR4020 | 6260 | SHINDENGE | 14+ | TO220-7 |
| IRFL9110TR | 1500 | IR | 16+ | SOT-223 |
| LM317LIPK | 9368 | TI | 15+ | SOT-89 |
| MJE13005 | 38000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| FCX605TA | 1950 | ZETEX | 15+ | SOT-89 |
| 2SC2878A | 3000 | TOSHIBA | 13+ | TO-92 |
| 2SA1220A | 3000 | NEC | 13+ | TO-126 |
| MIC811LUY | 10000 | MICREL | 16+ | SOT-143 |
| BD9778F-E2 | 5500 | ROHM | 16+ | SOP-8 |
| PIC18F25K20-I/ML | 4553 | PUCE | 14+ | QFN |
| 74LVXC3245MTCX | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | TSSOP |
| 2SC3964 | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-126 |
| 2SD1408Y | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-220F |
| 10TPB47M | 9000 | SANYO | 16+ | SMD |
| F931A106MAA | 1950 | NICHILON | 14+ | SMD |
| AM26LS32ACNSR | 1600 | TI | 13+ | SOP-16 |
| 10TPC68M | 9000 | SANYO | 15+ | SMD |
| 10TPB33M | 9000 | SANYO | 15+ | SMD |
| A6251M | 5800 | SANKEN | 11+ | DIP-8 |
| A6251M | 2230 | SANKEN | 16+ | DIP-8 |
| H1061 | 3460 | FRAPPEZ | 14+ | TO-220 |
| XC5CSX95T-2FF1136I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
| FSDM0265RN | 3460 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-8 |
| MOC3083 | 5588 | FSC | 16+ | IMMERSION |
| GP1A52HRJ00F | 3460 | DIÈSE | 15+ | IMMERSION |
| PIC24FJ128GB106-I/PT | 4173 | PUCE | 15+ | TQFP |
| C393C | 1380 | NEC | 16+ | DIP-8 |
| DS1220AD-100IND+ | 500 | DALLAS | 15+ | DIP-24 |
| ME15N10-G | 5956 | MATSU | 16+ | TO-252 |
| D3SB60 | 2200 | SHINDENGE | 14+ | TO-220 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
5pcs