Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Norme de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A et triacs de Snubberless

Norme de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A et triacs de Snubberless

Norme de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A et triacs de Snubberless
Norme de BTA24-600CWRG 3 Pin Transistor 25 A et triacs de Snubberless
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Non repetitive surge peak off-state voltage:
VDRM/VRRM + 100 V
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150° C
Operating junction temperature:
- 40 to + 125 ° C
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

BTA24, BTB24, BTA25 BTA26, BTB26, T25

Des 25 normes et triacs de Snubberless™

Caractéristiques

■Triac à forte intensité

■Basse résistance thermique avec la liaison d'agrafe

■Commutation élevée (4 quarts de cercle) ou capacité très élevée de commutation (3 quarts de cercle)

■Série UL1557 de BTA certifiée (référence de dossier : 81734)

■Les paquets sont RoHS (2002/95/EC) conforme

Applications

Les applications incluent la fonction "MARCHE/ARRÊT" dans les demandes telles que les relais statiques, le règlement de chauffage, le moteur à induction mettant en marche des circuits, etc., ou d'opération de contrôle de phase dans des rhéostats légers, les contrôleurs, et silmilar de vitesse de moteur.

Les versions snubberless (série W et T25 de BTA/BTB…) sont particulièrement recommandées pour l'usage sur les charges inductives, en raison de leurs représentations élevées de commutation. La série de BTA fournit une étiquette isolée (évaluée à 2500 VRMS).

Capacités absolues

Symbole Paramètre Valeur Unité
SERVICE INFORMATIQUE (RMS) Courant de sur-état de RMS (pleine onde sinusoïdale) TOP3 Comité technique = 105° C 25
D2PAK/TO-220AB Comité technique = 100° C
RD91 Institut central des statistiques de l'Institut central des statistiques TOP3. Comité technique = 100° C
Institut central des statistiques de TO-220AB. Comité technique = 75° C
ITSM

Sur-état maximal de montée subite non répétitive

actuel (plein cycle, Tj initial = 25° C)

 F = 50 hertz t = Mme 20 250
F = 60 hertz t = Mme 16,7 260
² t d'I Je valeur du ² t pour la fusion tp = Mme 10 340 Un ² s
dI/dt

Taux critique de hausse du courant de sur-état

IG = 2 x IGT, ≤ 100 NS de TR

 F = 120 hertz Tj = 125° C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tension hors état de crête non répétitive de montée subite tp = Mme 10 Tj = 25° C VDRM/VRRM + 100 V
IGM Courant maximal de porte tp = 20 µs Tj = 125° C 4
PAGE (POIDS DU COMMERCE) Dissipation de puissance moyenne de porte Tj = 125° C 1 W

Tstg

Tj

Température ambiante de jonction de stockage

Température ambiante fonctionnante de jonction

- 40 + à 150

- 40 + à 125

 ° C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
TLP2368 17727 TOSHIBA 15+ SOP-5
TLP281-1 15479 TOSHIBA 16+ SOP-4
TLP291-4GB 19581 TOSHIBA 16+ SOP-16
TLP541G 17964 TOSHIBA 14+ DIP-6
TLP621GB 8734 TOSHIBA 14+ DIP-4
TLP701 7334 TOSHIBA 16+ SOP-6
TLP701F 4097 TOSHIBA 14+ SOP-6
TLP741G 12923 TOSHIBA 15+ SOP-6
TLP759 24480 TOSHIBA 16+ SOP-8
TLP785GB 71000 TOSHIBA 16+ DIP-4
TLV2217-33KCSE3 14631 TI 11+ TO-220
TLV2373IDGSR 4914 TI 06+ MSOP-10
TLV2401CDBVR 8191 TI 15+ SOT23-5
TLV2464IPWR 3517 TI 11+ TSSOP-14
TLV2472AIDR 6435 TI 14+ SOP-8
TLV2771CDBVR 16946 TI 16+ SOT23-5
TLV2774IDR 6156 TI 10+ SOP-14
TLV5606CDGKR 6012 TI 06+ VSSOP-8
TLV5610IPWR 2618 TI 14+ TSSOP-20
TLV5610IPWR 2532 TI 11+ TSSOP-20
TLV62130RGTR 5398 TI 16+ QFN16
TLV70033DDCR 43000 TI 14+ SOT23-5
TLV70433DBVR 91000 TI 13+ SOT23-5
TM4C123FH6PMI 1543 TI 13+ LQFP-64
TM4C129ENCPDTI3R 2790 TI 13+ QFP128
TMD0507-2A 229 TOSHIBA 15+ SMD
TMP102AIDRLR 4371 TI 16+ SOT-563
TMP82C79P-2 3478 TOSHIBA 98+ DIP-40
TMPM374FWUG 3299 TOSHIBA 11+ LQFP-44
TMS27PC256-15NL 2483 TI 94+ DIP-24

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Tous droits réservés.