Transistor de puissance du silicium NPN d'ISC de 2SC4546 3 Pin Transistor
Caractéristiques
Collector-Base Voltage:
600 V
Collector-Emitter Voltage:
400 V
Emitter-Base Voltage:
7 V
Collector Current-Continuous:
7 A
Junction Temperature:
150 ℃
Storage Temperature:
-55~150 ℃
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
RURG8060 | 6054 | FSC | 13+ | TO-247 |
S1133 | 4195 | HAMAMATSU | 13+ | DIP-2 |
S14K320 | 92000 | EPSON | 15+ | IMMERSION |
S1D13506F00A200 | 2146 | EPSON | 11+ | QFP |
S1G-E3/61T | 18000 | VISHAY | 16+ | DO-214 |
S21152BB | 1768 | INTEL | 10+ | QFP |
S25FL128P0XMFI001 | 12260 | SPANSION | 16+ | SOP-16 |
S25FL216KOPMFI011 | 68000 | SPANSION | 14+ | SOP-8 |
S25FL512SAGMFI013 | 3723 | SPANSION | 15+ | SOP-16 |
S29AL016D70TFI010 | 5204 | SPANSION | 08+ | TSSOP-48 |
S29JL064H90TFI00 | 5068 | SPANSION | 06+ | TSSOP-48 |
S2B-PH-K-S | 167000 | JST | 14+ | SMD |
S2J-E3/52T | 75000 | VISHAY | 15+ | DO-214AA |
S2S4BYOF | 13830 | DIÈSE | 16+ | SOP-4 |
S34ML08G101BHI000 | 2100 | SPANSION | 16+ | BGA63 |
S3A-E3/57T | 8500 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
S3B-13-F | 67000 | DIODES | 16+ | DO-214AB |
S3C6410X66-YB40 | 2983 | SAMSUNG | 14+ | BGA |
S3F9454BZZ-DK94 | 5833 | SAMSUNG | 09+ | IMMERSION |
S4X8ES | 69000 | LITTELFUS | 10+ | TO-92 |
S558-5500-25-F | 5804 | BELFUSE | 15+ | SOP-16 |
S5B-PH-K-S (SI) (SN) | 94000 | JST | 16+ | Na |
S5M-E3/57T | 77000 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
S6040R | 8070 | LITTELFUS | 14+ | TO-220 |
S6B-XH-SM4-TB (SI) (SN) | 7573 | JST | 16+ | SMD |
S7B-PH-SM4-TB (SI) (SN) | 23131 | JST | 13+ | SMD |
S8025L | 8041 | TECCOR | 07+ | TO-220 |
S8065K | 5681 | TECCOR | 16+ | TO-3P |
SAB80C517A-N18-T3 | 2443 | 14+ | PLCC84 | |
SAFEA2G35MB0F00R15 | 6517 | MURATA | 16+ | SMD |
transistor de puissance du silicium NPN d'ISC 2SC4546
DESCRIPTION
·Tension claque de collecteur-émetteur : Président de V (BR) = 400V (minute)
·Vitesse de changement élevée
APPLICATIONS
·Conçu pour le régulateur de commutation, allumant l'inverseur et les applications d'usage universel.
CAPACITÉS ABSOLUES (Ta=25℃)
SYMBOLE | PARAMÈTRE | VALEUR | UNITÉ |
VCBO | Tension de collecteur-base | 600 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 400 | V |
VEBO | Tension d'Émetteur-base | 7 | V |
IC | Collecteur Actuel-continu | 7 | |
Missile aux performances améliorées | Actuel-crête de collecteur | 14 | |
IB | Actuel-continu bas | 2 | |
PC | Dissipation de puissance de collecteur @TC=25℃ | 30 | W |
TJ | La température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Température de stockage | -55~150 | ℃ |
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20pcs