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Transistor MOSFET électronique de puissance de composants de l'électronique du transistor IRFPE50

Transistor MOSFET électronique de puissance de composants de l'électronique du transistor IRFPE50
Transistor MOSFET électronique de puissance de composants de l'électronique du transistor IRFPE50
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Temperature Range:
–55 to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
±20V
Current:
4.9A
Package:
TO-247
Factory Package:
TUBE
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor MOSFET électronique de puissance de composants de l'électronique du transistor IRFPE50

Caractéristiques

• Estimation dynamique de dV/dt

• Avalanche répétitive évaluée

• Trou de montage central d'isolement

• Commutation rapide

• Facilité de la parallélisation

• Conditions simples d'entraînement

• Disponible sans d'avance (Pb)

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL PUCE 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A DIÈSE 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANSPORT 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM TI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G PUCE CL2C SOT-89
C.I SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS St 135 SOP-24
PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR CASSEROLE Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN PUCE 1636M6G SOP-8
PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RECHERCHE RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RECHERCHE RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG St 628 TO-3P
PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Descriptions

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de la commutation rapide, de la conception robuste de dispositif, de la basse sur-résistance et de la rentabilité.

Le paquet TO-247 est préféré pour les niveaux commercial-industriels de puissance plus élevée d'applications où exclure l'utilisation des dispositifs TO-220.

Le TO-247 est semblable mais supérieur au paquet TO-218 premier en raison de son trou de montage d'isolement. Il fournit également une plus grande ligne de fuite entre les goupilles pour répondre aux exigences de la plupart des caractéristiques de sécurité.

Capacités absolues comité technique = 25oC, sauf indication contraire

Tension VDS 800 V de Drain-source

± 20 de la tension VGS de Porte-source

Drain continu VGS actuel à 10 V

Comité technique de = identification 7,8 25 °C comité technique = 100 °C 4,9 A

Pulsé vidangez Currenta IDM 31

La sous-sollicitation linéaire factorisent 1,5 W/°C

Avalanche simple Energyb EAS 770 MJ d'impulsion

Avalanche répétitive Currenta IAR 7,8 A

OREILLE répétitive 19 MJ d'Energya d'avalanche

Dissipation de puissance maximum comité technique de = palladium 190 W 25 °C

Récupération maximale dV/dtc dV/dt 2,0 V/ns de diode

Température ambiante fonctionnante TJ, Tstg - 55 de jonction et de température de stockage + au °C 150

Recommandations de soudure (la température maximale) pour 10 s 300d

Montant la vis 6-32 ou M3 de couple 10 livres-force · dans 1,1 N · m

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