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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N

Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N

Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N
Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Temperature Range:
–55 to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
±20V
Current:
31A
Package:
TO-247
Factory Package:
TUBE
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

Appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N

Transistor MOSFET de puissance de N-canal

Caractéristiques

• Sur-résistance très réduite - le RDS (DESSUS) = 0.030Ω, VGS = 10V

• Modèles de simulation

- Modèles électriques à température compensée de PSPICE™ et de SABER©

- Épice et modèles thermiques d'impédance de SABER©

- www.fairchildsemi.com

• Courant de pointe contre la courbe de durée d'impulsion

• Courbe d'estimation d'UIS

C.I MM74HC164MX FSC P0552AD/P9FAD SOP-14
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
DIODO BYG23M-E3/TR VISHAY 1632 SMA
DIODO SML4742A-E3/61 VISHAY 1632/12 SMA
Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF VISHAY 1612 SMD2010
Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF VISHAY 1612 SMD2010
C.I MCP6S26-I/SL PUCE 16255C4 SOP-14
ACOPLADOR. PC817A DIÈSE 2016.08.10/H33 DIP-4
TRANSPORT 2SS52M Honeywell 2SSM/523-LF TO-92
C.I SCC2691AC1D24 1149+ SOP-24
C.I TP3057WM TI XM33AF SOP-16
C.I CD14538BE TI 33ADS8K DIP-16
C.I CL2N8-G PUCE CL2C SOT-89
C.I SN75179BP TI 57C50DM DIP-8
C.I L6219DS St 135 SOP-24
PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD1210
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF TDK YA16H0945122/3R3 SMD6045
PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR CASSEROLE Y1628F843536/2.2/50V/SYK SMD4*5.4
C.I 24LC256-I/SN PUCE 1636M6G SOP-8
PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS NICHICON 160602/150/25V/H72 SMD8*10.5
RECHERCHE RC0805JR-0727RL YAGEO 1538 SMD0805
C.I SN75240PW TI 11/A75240 MSOP-8
RECHERCHE RC0805JR-0715KL YAGEO 1637 SMD0805
PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T TAIYOYUDEN 1608 SMD0805
PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% YAGEO 1638 SMD0805
CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% YAGEO 1623 SMD0805
TRIAC BTA26-600BRG St 628 TO-3P
PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB TDK IB16F15763SD SMD0805

Capacités absolues comité technique = 25oC, sauf indication contraire

Vidangez à la tension de source (note 1)……………………. VDSS 100 V

Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ) (note 1)……………… VDGR 100 V

Porte à la tension de source…………………. ………. VGS ±20 V

Vidangez continu actuel (TC= 25oC, VGS = 10V) (le schéma 2)…. ………… IDENTIFICATION

Continu (TC= 100oC, VGS = 10V) (identification du schéma 2)…………

Courant pulsé de drain……………………. .IDM 44 31

Le schéma 4 une estimation………………… .UIS d'avalanche pulsée par A

Les schémas 6, 14, palladium de dissipation de puissance 15…………………

Sous-sollicitez au-dessus de 25oC…………………… 155 1,03 W W/oC

Opération et température de stockage……… TJ, TSTG -55 à 175 OC

Température maximale pour les avances de soudure à 0.063in (1.6mm) du point de droit pour 10s. …. .TL

Le corps de paquet pour 10s, voient Techbrief TB334……… Tpkg 300 260 OC OC

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