IRF2807 3 Pin Transistor, circuits intégrés de changement de l'électronique de transistor MOSFET IC de puissance
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRF2807 transistor MOSFET instantané de puissance de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré du transistor IC
Caractéristiques de sortie :
l a avancé la technologie transformatrice
l Sur-résistance très réduite
l estimation dynamique de dv/dt
l température de fonctionnement de 175°C
l commutation rapide
l entièrement avalanche évaluée
Caractéristiques principales :
Les transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium.
Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
Capacités absolues
Identification @ courant continu du drain comité technique = 25°C, VGS @ 10V
identification de 82 @ courant continu du drain comité technique = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsés vidangent le palladium actuel du 280 @TC = 25°C
La sous-sollicitation linéaire de la dissipation de puissance 230 W factorisent 1,5 W/°C
± 20 V de tension de Porte-à-source de VGS
actuel 43 A d'avalanche d'IAR
répétitif 23 MJ dv/dt d'énergie d'avalanche d'OREILLE
maximal 5,9 V/ns TJ de la récupération dv/dt de diode
Jonction fonctionnante et -55 + à 175
La température de soudure de température ambiante de température de stockage de TSTG, pour 10 le °C de secondes 300 (1.6mm du cas) montant le couple, 6-32 ou srew M3 10 livres-force•dans (1.1N•m)
Une partie du bulletin de la cote
| PAC 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | SUR | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODES | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRANSPORT MMBTA42LT1G | SUR | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANSPORT NDD04N60ZT4G | SUR | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| PAC 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| PAC 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| PAC 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| PAC ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| PAC 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| 4N25M OPTOS | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC