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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de la puissance IRF3415 double

Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de la puissance IRF3415 double

Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de la puissance IRF3415 double
Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de la puissance IRF3415 double
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
30 A
Pulsed Drain Current :
150 A
Power Dissipation:
200 W
Linear Derating Factor:
1.3 W/°C
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

BULLETIN DE LA COTE

AT24C512B-PU4500ATMEL15+DIP-8
BDP9494500 12+SOT-223
BYT01-4004500St16+Na
BYW96E4500PHILIPS12+SOD64
DF08S/274500VISHAY16+SOP-4
HT9170D4500HOLTEK16+CONCESSION
KST2222AMTF4500FAIRCHILD16+SOT23
L65624500St16+SOP8
LM1117MP-3.34500NS16+SOT-223
LMC567CN4500NS14+DIP8
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TPN3021RL4500St16+SOP8
A10134520FSC15+TO-92
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LM1086IS-1.84555NS16+TO263
VND8304566St16+SOP16
L6563D4571St16+CONCESSION
LP324M4588NS16+TSSOP14
SN75173D4613TI14+SOP-16




IRF3415

Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de puissance double

►Technologie transformatrice avancée
►Estimation dynamique de dv/dt
►température de fonctionnement 175°C
►Commutation rapide l entièrement avalanche évaluée

Description
La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.



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