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Transistor MOSFET de changement DES VÉHICULES À MOTEUR de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET d'IRF3205ZPBF

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited):
110 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
78 A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited):
75 A
Pulsed Drain Current:
440 A
Power Dissipation:
170 W
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

BULLETIN DE LA COTE


ICL3222CB 4100 INTERSIL 12+ SOP18
SGA-5486 4100 SIRENZA 16+ SMT86
TEA1098ATV 4100 12+ SSOP
NCP1271ADR 4110 SUR 16+ SOP7
FKV550T 4111 SANKEN 16+ TO220F
EPM570F256C5N 4117 ALTERA 16+ BGA256
MC33063AP1 4117 SUR 16+ DIP8
DS32ELX0421SQE 4120 NS 16+ LLP48
P2503NPG 4120 NIKOS 14+ DIP8
TPS70751PWPR 4120 TI 16+ TSSOP
HCPL4504 4121 AVAGO 16+ IMMERSION
OP177GP 4122 ANNONCE 15+ DIP-8
24LC512-I/SM 4130 PUCE 16+ SOP-8
OZ8602GN 4141 MICRO 15+ SOP-16
CNY70 4177 VISHAY 12+ DIP-4
DS26LS32ACMX 4177 NS 16+ SOP16
AD517JH 4200 ANNONCE 12+ TO-78
ATMEGA169PV-8AU 4200 ATMEL 16+ QFP-64
CDRH2D18/HP-2R2NC 4200 SUMIDA 16+ SMD
IPD06N03LAG 4200 16+ TO-252
OP07CP 4200 TI 16+ DIP8
PIC18F2520-I/SO 4200 PUCE 16+ SOP-28
SG6841DZ 4200 SG 14+ DIP-8
SN75HVD3082EP 4200 TI 16+ IMMERSION
BSP450 4210 16+ SOT223
HD74LS14P-E-Q 4210 RENESAS 15+ DIP14
TLZ5V1C 4210 VISHAY 16+ LL-34
PCF8593T 4211 15+ SOP8
BDW94C 4250 St 12+ TO-220
LQM21FN1R0N00D 4250 MURATA 16+ SMD
AT93C66-10SU-2.7 4252 ATMEL 12+ SOP-8
2N3906 4287 SUR 16+ TO-92
DS18B20 4444 MAXIME 16+ TO-92
95SQ015 4456 IR 16+ DO-204AD
PDTC143ET 4477 16+ SOT-23
BZX284-C12 4480 PHI 16+ SOD-323
1SMB5920BT3G 4500 SUR 14+ DO-214AA
1SMB5922BT3G 4500 SUR 16+ DO-214AA
1SMB5929BT3G 4500 SUR 16+ DO-214AA
82C250T 4500 15+ CONCESSION
ADM202EAN 4500 ANNONCE 16+ IMMERSION


IRF3205ZPBF

Transistor MOSFET de changement DES VÉHICULES À MOTEUR de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET

Caractéristiques

?► Technologie transformatrice avancée ?

?► Sur-résistance très réduite

?► ? température de fonctionnement 175°C ?

?► Commutation rapide ?

?► Avalanche répétitive permise jusqu'à Tjmax

?► Sans plomb

Description

Spécifiquement conçu pour des applications des véhicules à moteur, l'identification = le 75A ce transistor MOSFET de puissance de HEXFETÆ utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser extrêmement - le bas onresistance par secteur de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement de la jonction 175°C, la vitesse rapidement de changement et l'estimation répétitive améliorée d'avalanche. Ces caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans des applications des véhicules à moteur et une grande variété d'autres applications.

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