IRF740PBF-BE3 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance du CANAL TO-220 double
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source Voltage (VGS = 0):
400 V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
400 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC:
10 A
Drain Current (continuous) at Tc = 100 o C:
6.3 A
Point culminant:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introduction
Bulletin de la cote
| PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
| PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULE |
| MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
| MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| 7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MODULE |
| MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MODULE |
| PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MODULE |
| PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MODULE |
| LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MODULE |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | SUR | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | SUR | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | St | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULE |
| BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | IMMERSION |
| LTC4441IMSE | 6207 | LINÉAIRE | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | IMPULSION | 16+ | CONCESSION |
| P0926NL | 8560 | IMPULSION | 16+ | CONCESSION |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MODULE |
| CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | CONCESSION |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | CONCESSION |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | MP | 16+ | CONCESSION |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | CONCESSION |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MODULE |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MODULE |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MODULE |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | SUR | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MODULE |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MODULE |
IRF740 N - transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance du CANAL TO-220 double
■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,48 Ω
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
DESCRIPTION
Ce transistor MOSFET de puissance est conçu utilisant la bande consolidée de la société la MAILLE que basée sur disposition A RECOUVERT le processus de . Cette technologie assortit et améliore les résultats comparés aux parties standard de diverses sources.
APPLICATIONS
■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ
■ALIMENTATION D'ÉNERGIE NON INTERRUPTIBLE (UPS)
■DC/DC COVERTERS POUR DES TÉLÉCOM, INDUSTRIEL,
ET MATÉRIEL D'ÉCLAIRAGE.
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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MOQ:
5pcs