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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, transistor MOSFET de SILICIUM de MJF122G de puissance de transistor MOSFET de puissance de haute tension de 30 W double

PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, transistor MOSFET de SILICIUM de MJF122G de puissance de transistor MOSFET de puissance de haute tension de 30 W double

PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, transistor MOSFET de SILICIUM de MJF122G de puissance de transistor MOSFET de puissance de haute tension de 30 W double
PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DARLICM GROUPONS 5,0 A, 100 V, transistor MOSFET de SILICIUM de MJF122G de puissance de transistor MOSFET de puissance de haute tension de 30 W double
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
ÎÎ:
100 V
VRRM:
75 V
VR(RMS):
53 V
IFM:
300 mA
IO:
200 mA
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

Puissance complémentaire DarliCM GROUPons

Pour des applications d'isolement de paquet

Conçu pour des amplificateurs de general−purpose et des applications de changement, où la surface de montage du dispositif est exigée pour être électriquement isolée dans le radiateur ou le châssis.

Caractéristiques

• Électriquement semblable au TIP122 et au TIP127 populaires

• 100 VCEO (sus)

• 5,0 un courant de collecteur évalué

• Joint de isolement n'a pas exigé

• Coût du système réduit

• − élevé de gain actuel de C.C 2000 (minute) @ IC = 3 CDA

• L'UL a reconnu, le dossier #E69369, à l'isolement de 3500 VRMS

• Les paquets de Pb−Free sont Available*

Réponse thermique

Il y a deux limitations sur la puissance manipulant la capacité d'un transistor : la température de jonction moyenne et deuxième panne. Les courbes de secteur de fonctionnement sûr indiquent que le − VCE d'IC limite du transistor qui doit être observé pour l'opération fiable ; c.-à-d., le transistor ne doit pas être soumis à une plus grande dissipation que les courbes indiquent.

Les données du schéma 5 sont basées sur TJ (PK) = 150C ; Le comité technique est variable selon des conditions. Les limites secondaires d'impulsion de panne sont valides pour des temps d'utilisation à TJ fourni par 10% (PK) < 150C="">

BULLETIN DE LA COTE

CXA3834M 2531 SONY 15+ CONCESSION
NS8002 40000 NSIWAY 16+ CONCESSION
MP8707EN-LF-Z 5854 MP 16+ CONCESSION
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ CONCESSION
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MODULE
PK55GB80 80 SANREX 12+ MODULE
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MODULE
LV8401V-TLM-E 5128 SUR 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MODULE
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ MODULE
XC3S250E-4TQG144C 1968 XILINX 15+ QFP144
CY7C68014A-100AXC 1156 CYPRESS 15+ QFP
LP2985A-10DBVR 4710 TI 15+ SOT-23-5
PB4350 10940 16+ SOT-23
M27C512-70XF1 4087 St 16+ IMMERSION
QM200DY-H 250 MITSUBISH 12+ MODULE
ATTINY85-20PU 500 ATMEL 14+ DIP-8
A50L-0001-0284 100 FUJI 10+ MODULE
PC357N1TJ00F 10000 DIÈSE 16+ CONCESSION
2MBI150US-120-50 388 FUJI 14+ MODULE
2MBI75P-140 523 FUJI 12+ MODULE
LNK364PN 4211 PUISSANCE 15+ DIP-7
RA30H2127M 200 MITSUBISH 12+ MODULE
CM110YE4-12F 228 MITSUBI 15+ MODULE
MRF321 642 MOT 14+ TO-55s
A3972SB 1000 ALLÉGRO 13+ DIP-24
MR4010 6253 SHINDENGE 16+ TO220-7
PMD1000 5000 ALLÉGRO 10+ QFP-48
LTC2294IUP 726 LT 15+ QFN

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