Double transistor MOSFET II de l'ohm TO-220 PowerMESH du N-CANAL 600V 1,8 de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de la puissance IRFBC30]
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npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRFBC30
N - CANAL 600V - Ω 1,8 - 3.6A - transistor MOSFET de TO-220 PowerMESHTM ΙΙ
| TYPE | VDSS | Le RDS (dessus) | Identification |
| IRFBC30 | 600 V | < 2=""> | 3,6 A |
TO-220
■Ω 1,8 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
DESCRIPTION
Le PowerMESHTM ΙΙ est l'évolution de la première génération de la MAILLE OVERLAYTM. Les améliorations de disposition présentées considérablement pour améliorer le facteur de mérite de Ron*area tout en gardant le dispositif au bord d'attaque pour quelles vitesse de changement de soucis, charge de porte et rugosité.
APPLICATIONS
■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE
■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE SWITH (SMPS)
■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LES ALIMENTATIONS D'APPAREIL À SOUDER ET D'ÉNERGIE NON INTERRUPTIBLE ET LE CONDUCTEUR DE MOTEUR
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V |
| VDGR | Tension de porte de drain (RGS = kΩ 20) | 600 | V |
| VGS | tension de Porte-source | ± 20 | V |
| Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = le ℃ 25 | 3,6 | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = le ℃ 100 | 2,3 | |
| IDM (•) | Courant de drain (pulsé) | 14 | |
| Ptot | Dissipation totale à comité technique = ℃ 25 | 75 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,6 | W/℃ | |
| dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 3 | V/ns |
| Tstg | Température de stockage | -65 à 150 | ℃ |
| Tj | La température de jonction de Max. Operating | 150 | ℃ |
(•) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de di/dt de VDD de Tj
SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE
DONNÉES TO-220 MÉCANIQUES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC