N-CANAL d'usage universel MDmesh de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de npn de STP20NM60FP ? Transistor MOSFET de puissance
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60
STB20NM60 - STB20NM60-1
N-CANAL 600V - 0.25Ω - transistor MOSFET du ² PAK/TO-247 MDmesh™ du ² /I de 20A TO-220/FP/D
Caractéristiques générales
TYPE | VDSS | Le RDS (dessus) | Identification |
STP20NM60 STP20NM60FP STB20NM60 STB20NM60-1 STW20NM60 |
600 V 600 V 600 V 600 V 600 V |
< 0=""> < 0=""> < 0=""> < 0=""> < 0=""> |
20 A 20 A 20 A 20 A 20 A |
■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,25 Ω
■CAPACITÉS ÉLEVÉES de dv/dt ET d'AVALANCHE
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■BASSES CAPACITÉ D'ENTRÉE ET CHARGE DE PORTE
■BASSE RÉSISTANCE D'ENTRÉE DE PORTE
DESCRIPTION
Le MDmesh™ est une nouvelle technologie révolutionnaire de transistor MOSFET qui associe le processus multiple de drain à la disposition horizontale de PowerMESH™ de la société. Le produit en résultant a une basse sur-résistance exceptionnelle, impressionnant haut dv/dt et excellentes caractéristiques d'avalanche. L'adoption de la technique de propriété industrielle de la bande de la société rapporte les résultats dynamiques globaux qui sont sensiblement meilleurs que celui des produits de la concurrence semblable.
APPLICATIONS
La famille de MDmesh™ est très appropriée à la densité de puissance croissante des convertisseurs à haute tension permettant la miniaturisation de système et les rendements plus élevés.
Capacités absolues
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
² PAK DE TO-220/D ² PAK/TO-247 D'I |
TO-220FP | |||
VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V | |
VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 600 | V | |
VGS | Tension de source de porte | ±30 | V | |
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C | 20 | 20 (*) | |
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C | 12,6 | 12,6 (*) | |
IDM (•?) | Courant de drain (pulsé) | 80 | 80 (*) | |
PTOT | Dissipation totale à comité technique = 25°C | 192 | 45 | W |
Sous-sollicitation du facteur | 1,2 | 0,36 | W/°C | |
dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 15 | V/ns | |
VISO | Tension de Winthstand d'isolation (C.C) | - | 2500 | V |
Tstg | Température de stockage | -65 à 150 | °C | |
Tj | La température de jonction de Max. Operating | 150 | °C |
(•? ?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ≤ 20 A, ≤ 400 A/µs, ≤ V (BR) /DSS, ≤ TJMAX d'ISD de di/dt de VDD de Tj
(*) a limité seulement par la température maximale laissée
Paquet
Schéma de principe interne
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
SAP16NY | 200 | SANKEN | 06+ | TO-3P |
LM393DR2G | 25000 | SUR | 15+ | SOP-8 |
LM2931AD2T-5.0R4G | 3000 | SUR | 15+ | SOT-263 |
MXL683-AF-R | 3680 | MAXLINEAR | 16+ | QFN |
MPU-9150 | 6050 | INVENSEN | 14+ | QFN |
PIC16F648A-I/P | 5108 | PUCE | 14+ | IMMERSION |
LM2936DTX-3.3 | 3608 | NSC | 14+ | SOT-252 |
MSP430G2553IPW28R | 6862 | TI | 16+ | TSSOP |
PIC18F65K90-I/PT | 4323 | PUCE | 14+ | TQFP |
MCP809T-315I/TT | 5656 | PUCE | 11+ | SOT-23 |
L6385ED013TR | 3895 | St | 14+ | SOP8 |
LA6358N | 3950 | SANYO | 09+ | SOP-8 |
LM317HVT | 500 | NSC | 14+ | TO-220 |
CY7B933-400JXC | 1046 | CYPRESS | 15+ | PLCC |
LNBH24PPR | 1633 | St | 14+ | SSOP-36 |
PCA9538PW | 12240 | 14+ | TSSOP | |
MCP73831T-2DCI/OT | 5584 | PUCE | 16+ | SOT23-5 |
PTH08T230WAD | 800 | TI | 14+ | IMMERSION |
LMH0344SQ | 2972 | NSC | 13+ | WQFN-16 |
LMH0002SQ | 1632 | TI | 14+ | QFN |
LM2598SX-ADJ | 3000 | NSC | 15+ | TO-263 |

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