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N-CANAL d'usage universel MDmesh de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de npn de STP20NM60FP ? Transistor MOSFET de puissance

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
600 V
Gate- source Voltage:
±30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Max. Operating Junction Temperature:
150 °C
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60

STB20NM60 - STB20NM60-1

N-CANAL 600V - 0.25Ω - transistor MOSFET du ² PAK/TO-247 MDmesh™ du ² /I de 20A TO-220/FP/D

Caractéristiques générales

TYPE VDSS Le RDS (dessus) Identification

STP20NM60

STP20NM60FP

STB20NM60

STB20NM60-1

STW20NM60

600 V

600 V

600 V

600 V

600 V

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20 A

20 A

20 A

20 A

20 A

■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,25 Ω

■CAPACITÉS ÉLEVÉES de dv/dt ET d'AVALANCHE

■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■BASSES CAPACITÉ D'ENTRÉE ET CHARGE DE PORTE

■BASSE RÉSISTANCE D'ENTRÉE DE PORTE

DESCRIPTION

Le MDmesh™ est une nouvelle technologie révolutionnaire de transistor MOSFET qui associe le processus multiple de drain à la disposition horizontale de PowerMESH™ de la société. Le produit en résultant a une basse sur-résistance exceptionnelle, impressionnant haut dv/dt et excellentes caractéristiques d'avalanche. L'adoption de la technique de propriété industrielle de la bande de la société rapporte les résultats dynamiques globaux qui sont sensiblement meilleurs que celui des produits de la concurrence semblable.

APPLICATIONS

La famille de MDmesh™ est très appropriée à la densité de puissance croissante des convertisseurs à haute tension permettant la miniaturisation de système et les rendements plus élevés.

Capacités absolues

Symbole Paramètre Valeur Unité

² PAK DE TO-220/D

² PAK/TO-247 D'I

TO-220FP
VDS tension de Drain-source (VGS = 0) 600 V
VDGR tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Tension de source de porte ±30 V
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C 20 20 (*)
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C 12,6 12,6 (*)
IDM (•?) Courant de drain (pulsé) 80 80 (*)
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 192 45 W
Sous-sollicitation du facteur 1,2 0,36 W/°C
dv/dt (1) Pente maximale de tension de récupération de diode 15 V/ns
VISO Tension de Winthstand d'isolation (C.C) - 2500 V
Tstg Température de stockage -65 à 150 °C
Tj La température de jonction de Max. Operating 150 °C

(•? ?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre

(1) ≤ 20 A, ≤ 400 A/µs, ≤ V (BR) /DSS, ≤ TJMAX d'ISD de di/dt de VDD de Tj

(*) a limité seulement par la température maximale laissée

Paquet

Schéma de principe interne

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
SAP16NY 200 SANKEN 06+ TO-3P
LM393DR2G 25000 SUR 15+ SOP-8
LM2931AD2T-5.0R4G 3000 SUR 15+ SOT-263
MXL683-AF-R 3680 MAXLINEAR 16+ QFN
MPU-9150 6050 INVENSEN 14+ QFN
PIC16F648A-I/P 5108 PUCE 14+ IMMERSION
LM2936DTX-3.3 3608 NSC 14+ SOT-252
MSP430G2553IPW28R 6862 TI 16+ TSSOP
PIC18F65K90-I/PT 4323 PUCE 14+ TQFP
MCP809T-315I/TT 5656 PUCE 11+ SOT-23
L6385ED013TR 3895 St 14+ SOP8
LA6358N 3950 SANYO 09+ SOP-8
LM317HVT 500 NSC 14+ TO-220
CY7B933-400JXC 1046 CYPRESS 15+ PLCC
LNBH24PPR 1633 St 14+ SSOP-36
PCA9538PW 12240 14+ TSSOP
MCP73831T-2DCI/OT 5584 PUCE 16+ SOT23-5
PTH08T230WAD 800 TI 14+ IMMERSION
LMH0344SQ 2972 NSC 13+ WQFN-16
LMH0002SQ 1632 TI 14+ QFN
LM2598SX-ADJ 3000 NSC 15+ TO-263

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