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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > N-CANAL MDmesh de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de STP20NM50FP ? Transistor MOSFET de puissance

N-CANAL MDmesh de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de STP20NM50FP ? Transistor MOSFET de puissance

N-CANAL MDmesh de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de STP20NM50FP ? Transistor MOSFET de puissance
N-CANAL MDmesh de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn de STP20NM50FP ? Transistor MOSFET de puissance
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Gate-Source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Operating Junction Temperature:
-65 to 150 °C
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Thermal Resistance Junction-amb Max:
62.5 °C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose:
300 °C
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction


STB20NM50 - STB20NM50-1
STP20NM50 - STP20NM50FP

N-CANAL 550V@Tjmax - 0.20Ω - 20A - ² PAK du ² PAK-I de TO220/FP-D
Transistor MOSFET Zener-protégé de SuperMESH™

Caractéristiques générales

Type VDSS (@Tj maximum) Le RDS (dessus) Identification

STB20NM50

STB20NM50-1

STP20NM50

STP20NM50FP

550 V

550 V

550 V

550 V

<0>

<0>

<0>

<0>

20 A

20 A

20 A

20 A

■CAPACITÉS ÉLEVÉES de dv/dt ET d'AVALANCHE
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■BASSES CAPACITÉ D'ENTRÉE ET CHARGE DE PORTE
■BASSE RÉSISTANCE D'ENTRÉE DE PORTE

Description
Le MDmesh™ est une nouvelle technologie révolutionnaire de transistor MOSFET qui associe le processus multiple de drain à la disposition de PowerMESH™horizontal de la société. Le produit en résultant a une basse sur-résistance exceptionnelle, impressionnant haut dv/dt et excellents résultats de caractéristique d'avalanche et dynamiques.

Applications
La famille de MDmesh™ est très appropriée à la densité de puissance croissante des convertisseurs à haute tension permettant des efficacités d'andhiher de miniaturisation de système.

Capacités absolues

Symbole Paramètre Valeur Unité
² PAK DU ² PAK/I DE TO-220/D TO-220FP
VGS Tension de Porte-source ± 30 V
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C 20 20 (note 3)
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C 12,6 12,6 (note 3)
Note 2 d'IDM Courant de drain (pulsé) 80 80 (note 3)
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 192 45 W
Sous-sollicitation du facteur 1,2 0,36 W/°C
note 1 de dv/dt Pente maximale de tension de récupération de diode 15 V/ns
VISO Tenue Volatge (C.C) d'isolation - 2000 V

Tj

Tstg

La température de jonction fonctionnante

Température de stockage

 -65 à 150 °C


Paquet


Schéma de principe interne



Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
LM4652TF 1435 NSC 13+ ZIP-15
PIC24FJ64GB106-I/PT 4118 PUCE 16+ TQFP
LM4651N 1543 NSC 14+ DIP-28
PC3H711NIP 30000 DIÈSE 16+ CONCESSION
PC3Q67QJ000F 11500 DIÈSE 16+ CONCESSION
MC68302PV16C 3628 MOT 10+ QFP
LMH0356SQE 437 TI 15+ WQFN-48
LMH0036SQE 1226 NSC 12+ LLP
CY7B1399B-15VC 500 CYPRESS 01+ SOJ
MAX3232EEUE+T 11450 MAXIME 16+ TSSOP
PIC18F66K22-I/PT 4308 PUCE 14+ QFP
PESD5V0S1BA 25000 16+ GAZON
NUP5150MUTBG 5340 SUR 16+ QFN
CS4954-CQZR 2476 CIRRUS 10+ TQFP-48
MIC2951-02YM 6460 MICREL 11+ CONCESSION
MUR1620CTG 10000 SUR 16+ TO-220
MKL25Z128VLK4 1070 FREESCALE 14+ LQFP
BD82H61 SLJ4B 340 INTEL 13+ BGA
MBR0540T1G 20000 SUR 15+ SOD-123
SAP16PO 300 SANKEN 06+ TO-3P
M48T02-120PC1 3607 St 15+ IMMERSION




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