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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor MOSFET de SuperMESHPower Zener-protégé parCANAL électrique de transistor de transistor MOSFET de puissance de STP10NK70ZFP⑩ IC

Transistor MOSFET de SuperMESHPower Zener-protégé parCANAL électrique de transistor de transistor MOSFET de puissance de STP10NK70ZFP⑩ IC

Transistor MOSFET de SuperMESHPower Zener-protégé parCANAL électrique de transistor de transistor MOSFET de puissance de STP10NK70ZFP⑩ IC
Transistor MOSFET de SuperMESHPower Zener-protégé parCANAL électrique de transistor de transistor MOSFET de puissance de STP10NK70ZFP⑩ IC
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 700 V 8.6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source Voltage (VGS = 0):
700 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
700 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte:
4000 KILOVOLTS
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction


STP10NK70Z STP10NK70ZFP
N-CANAL 700V - 0.75Ω - 8.6A TO-220/TO-220FP
Transistor MOSFET Zener-protégé de SuperMESH™Power

TYPEVDSSLe RDS (dessus)IdentificationPicowatt

STP10NK70Z

STP10NK70ZFP

700 V

700 V

< 0="">

< 0="">

8,6 A

8,6 A

150 W

35 W

■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,75 Ω
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■CAPACITÉ AMÉLIORÉE D'ESD
■L'AVALANCHE 100% A ÉVALUÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME

DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.

APPLICATIONS
■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE
■IDÉAL POUR LES ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE, LES ADAPTATEURS ET LE PFC EN DIFFÉRÉ

CAPACITÉS ABSOLUES

SymboleParamètreValeurUnité
STP10NK70ZSTP10NK70ZFP
VDStension de Drain-source (VGS = 0)700V
VDGRtension de Drain-porte (RGS = kΩ 20)700V
VGSTension de source de porte± 30V
IdentificationVidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C8,68,6 (*)
IdentificationVidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C5,45,4 (*)
IDM (•?)Courant de drain (pulsé)3434 (*)
PTOTDissipation totale à comité technique = 25°C15035W
Sous-sollicitation du facteur1,200,28W/°C
VESD (G-S)Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte4000Kilovolt
dv/dt (1)Pente maximale de tension de récupération de diode4,5V/ns
VISOTension de tenue d'isolation (C.C)-2500V

Tj

Tstg

La température de jonction fonctionnante

Température de stockage

-55 à 150

-55 à 150

°C

°C

(•?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤8.6A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée



Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.Q'tyMFGD/CPaquet
MTD1361F7506SHINDENGE10+HSOP
8050HQLT1G10000SUR15+SOT23
L6470HTR1299St14+TSSOP
LM5576MHX2483NSC14+TSSOP-20
LT3971EMSE-5#PBF3866LT16+MSOP
MOC3063SR2M5567FSC14+CONCESSION
OPA4141AID7700TI12+CONCESSION
PC2SD11NTZAK11300DIÈSE13+IMMERSION
MMBT2907A-7-F20000DIODES16+SOT-23
MCP1700T-3302E/TT10000PUCE16+SOT-23
PIC10F202T-I/OT8950PUCE16+IVROGNE
LM2936MX-5.03000NSC15+SOP-8
PIC24FJ64GA004-I/PT4138PUCE15+TQFP
PCF8591T13260PHILIPS16+CONCESSION
MD1211LG-G5830SUPERTEX16+QFN
NDS332P40000FAIRCHILD16+SOT-23
NCP1117STAT3G10000SUR16+SOT-223
SAK-XC164CM-16F40FBA500 13+LQFP-64
ZTX1053A3980ZETEX13+TO-92S
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