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Transistors de puissance du silicium NPN de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de TIP31C doubles

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire NPN 100 V 3 un 3MHz 40 W par le trou TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Courant de collecteur (C.C):
3 A
Actuel-impulsion de collecteur:
5 A
Courant bas:
1 A
Dissipation de puissance de collecteur:
40W
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
℃ 150
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Transistors de puissance du silicium NPN TIP31/31A/31B/31C


DESCRIPTION ·

·Avec le paquet de TO-220C

·Complément pour dactylographier TIP32/32A/32B/32C

APPLICATIONS

·Applications de changement linéaires de puissance moyenne

GOUPILLER

PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collecteur ; relié à monter la base
3 Émetteur

BULLETIN DE LA COTE

NJM2700L 2520 LE CCR 15+ IMMERSION
PM6610 5000 QUALCOMM 08+ QFN-32
MAX4173TEUT 13350 MAXIME 16+ IVROGNE
LMC7101BIM5X 7236 NSC 15+ SOT-23-5
2MBI100SC-120-03 433 FUJI 14+ MODULE
MB3761 12433 FUJITSU 16+ IMMERSION
LTC2641IMS8-16 3000 LT 15+ MSOP
2MBI300TC-060 358 FUJI 11+ MODULE
LM2673S-ADJ 1838 NSC 14+ TO-263
XC5VLX50T-1FF665C 100 XILINX 15+ BGA
ATMEGA8535-16PU 3591 ATMEL 14+ DIP-40
MAX890LESA 9749 MAXIME 16+ CONCESSION
PIC18F8621-I/PT 4268 PUCE 15+ TQFP
LC4032V-75TN48C 3147 TRELLIS 15+ QFP
BGA616 25000 INFINEO 16+ SOT-343
OP177FPZ 5880 ANNONCE 15+ IMMERSION
M24512-RDW6TP 6030 St 16+ TSSOP
LS7220 7618 LSI 14+ DIP-14
MCC310-16I01 40000 IXYS 16+ MODULE
LUU4321M1R-Q5 5193 LINUS 15+ QFN
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Courant:
MOQ:
5pcs