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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée

Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée

Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée
Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 60 V 70A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Vidangez à la tension de source:
60 V
Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ):
60 V
Courant continu de drain:
70 A
Porte à la tension de source:
±20 V
Dissipation de puissance:
150 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire:
1,0 W/℃
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohms, transistors MOSFET de puissance de N-canal

Ce sont des transistors MOSFET de puissance de N-canal construits utilisant le processus de MegaFET. Ce processus, qui emploie des tailles de caractéristique approchant ceux des circuits de LSI, donne l'utilisation optima du silicium, ayant pour résultat la représentation exceptionnelle. Ils ont été conçus pour l'usage dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs de changement, des conducteurs de moteur et des conducteurs de relais. Ces transistors peuvent être actionnés directement à partir des circuits intégrés.

Type autrefois développemental TA49007.

Caractéristiques

• 70A, 60V

• le RDS (dessus) = 0.014Ω

• Modèle à température compensée de PSPICE®

• Courant de pointe contre la courbe de durée d'impulsion

• Courbe d'estimation d'UIS (impulsion simple)

• température de fonctionnement 175oC

• Littérature relative

- TB334 « directives pour les composants extérieurs de soudure de bâti aux panneaux de PC »

Capacités absolues comité technique = 25℃, sauf indication contraire

PARAMÈTRE SYMBOLE

RFG70N06, RFP70N06

RF1S70N06SM

 UNITÉS
Vidangez à la tension de source (note 1) VDSS 60 V
Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ) (note 1) VDGR 60 V
Courant continu de drain Identification 70
Courant pulsé de drain (note 3) IDM Référez-vous à la courbe de courant de pointe
Porte à la tension de source VGS ±20 V
Estimation simple d'avalanche d'impulsion EAS Référez-vous à la courbe d'UIS
Dissipation de puissance Palladium 150 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 1,0 W/℃
Opération et température de stockage TJ, TSTG -55 à 175 ℃

Température maximale pour la soudure

Avances à 0.063in (1.6mm) du point de droit pour 10s

Le corps de paquet pour 10s, voient Techbrief 334

TL

Tpkg

300

260

℃

℃

PRÉCAUTION : Les efforts au-dessus de ceux énumérés dans « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une seule estimation d'effort et l'opération du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée.

NOTE : 1. TJ = 25oC à 150℃

Symbole

Emballage

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
LA4440 3620 SANYO 14+ SIP-14
LT1512CS8#PBF 5755 LINÉAIRE 15+ SOP-8
LM75CIMMX-3 6880 NSC 14+ MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF 6896 LT 10+ IVROGNE
NTE4151PT1G 38000 SUR 16+ SOT-523
CXD2480R 1277 SONY 15+ QFP
A8498SLJTR-T 3500 ALLÉGRO 12+ SOP-8
A4950ELJTR-T 1000 ALLÉGRO 13+ SOP-8
LMX2335LTMX 2297 NSC 14+ TSSOP-16
NCP1034DR2G 9200 SUR 16+ CONCESSION
A3932SLDTR-T 2042 ALLÉGRO 15+ TSSOP38
MM3Z4V7ST1G 25000 SUR 16+ SOD-323
MCP1825S-3302E/DB 5134 PUCE 16+ SOT-223
MMBZ5257BLT1G 20000 SUR 16+ SOT-23
MBR120ESFT1G 38000 SUR 16+ GAZON
L4931ABD33 3851 St 14+ SOP8
NTE4153NT1G 30000 SUR 16+ SOT-523
MPX5100DP 6099 FREESCALE 15+ PETITE GORGÉE
LMH1980MM/NOPB 1632 TI 15+ VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS 4498 PUCE 13+ SSOP
LTC3450EUD 6714 LINÉAIRE 15+ DFN

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10pcs
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