N - Le CANAL Zener a protégé le transistor⑩ STP10NK80ZFP de transistor MOSFET de puissance de SuperMESH
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
Le N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-a protégé le transistor MOSFET de SuperMESH™Power
TYPE | VDSS | Le RDS (dessus) | Identification | Picowatt |
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z | 800 V 800 V 800 V | < 0=""> < 0=""> < 0=""> | 9 A 9 A 9 A | 160 W 40 W 160 W |
■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,78 Ω
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME
DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.
APPLICATIONS
■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE
■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE COMMUTATEUR
■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LA SOUDURE, L'UPS ET LA COMMANDE DE MOTEUR
CAPACITÉS ABSOLUES
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | ||
STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 800 | V | ||
VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
VGS | Tension de source de porte | ± 30 | V | ||
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C | 9 | 9 (*) | 9 | |
Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C | 6 | 6 (*) | 6 | |
IDM (•?) | Courant de drain (pulsé) | 36 | 36 (*) | 36 | |
PTOT | Dissipation totale à comité technique = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
Sous-sollicitation du facteur | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
VESD (G-S) | Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte | 4 | Kilovolt | ||
dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 4,5 | V/ns | ||
VISO | Tension de tenue d'isolation (C.C) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | La température de jonction fonctionnante Température de stockage | -55 à 150 -55 à 150 | °C |
(? •) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
LB1240 | 6500 | SUR | 14+ | DIP18 |
A4982SLPTR-T | 6500 | ALLÉGRO | 15+ | TSSOP-24 |
ADS1110A0IDBVR | 6494 | TI | 15+ | SOT23-6 |
AD8655ARZ | 6490 | ANNONCE | 15+ | SOP-8 |
MAX3072EESA+ | 6489 | MAXIME | 13+ | CONCESSION |
ATMEGA32-16AU | 6489 | ATMEL | 15+ | QFP44 |
MAX3100CEE+ | 6481 | MAXIME | 14+ | SSOP |
MAX4714EXT | 6480 | MAXIME | 15+ | IVROGNE |
AD8676ARZ | 6476 | ANNONCE | 15+ | SOP-8 |
LA7911 | 6475 | SANYO | 15+ | DIP-16 |
ADP1710AUJZ-R7 | 6462 | ANNONCE | 14+ | SOT23 |
LA3600 | 6450 | SANYO | 10+ | DIP-16 |
L6221C | 6425 | St | 13+ | DIP-16 |
MAX8211ESA+ | 6419 | MAXIME | 13+ | CONCESSION |
PIC10F222T-I/OT | 6409 | PUCE | 14+ | IVROGNE |
LT3572EUF#PBF | 6408 | LINÉAIRE | 14+ | QFN |
L293B | 6400 | St | 12+ | DIP16 |
MAX3077EESA | 6390 | MAXIME | 12+ | CONCESSION |
MBI5039GP | 6387 | MBI | 15+ | SSOP |
MPC801KG | 6375 | BB | 14+ | IMMERSION |
PIC16F1828-I/SS | 6374 | PUCE | 15+ | SSOP |