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N - Le CANAL Zener a protégé le transistor⑩ STP10NK80ZFP de transistor MOSFET de puissance de SuperMESH

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
800 V
Drain-gate Voltage:
800 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150°C
Storage Temperature:
-55 to 150°C
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction


STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z

Le N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-a protégé le transistor MOSFET de SuperMESH™Power

TYPEVDSSLe RDS (dessus)IdentificationPicowatt

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

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9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W


■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,78 Ω
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME

DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.

APPLICATIONS
COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE
■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE COMMUTATEUR
■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LA SOUDURE, L'UPS ET LA COMMANDE DE MOTEUR

CAPACITÉS ABSOLUES

SymboleParamètreValeurUnité
STP10NK80ZSTP10NK80ZFPSTW10NK80Z
VDStension de Drain-source (VGS = 0)800V
VDGRtension de Drain-porte (RGS = kΩ 20)800V
VGSTension de source de porte± 30V
IdentificationVidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C99 (*)9
IdentificationVidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C66 (*)6
IDM (•?)Courant de drain (pulsé)3636 (*)36
PTOTDissipation totale à comité technique = 25°C16040160W
Sous-sollicitation du facteur1,280,321,28W/°C
VESD (G-S)Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte4Kilovolt
dv/dt (1)Pente maximale de tension de récupération de diode4,5V/ns
VISOTension de tenue d'isolation (C.C)-2500-V

Tj

Tstg

La température de jonction fonctionnante

Température de stockage

-55 à 150

-55 à 150

°C

(? •) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée



Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.Q'tyMFGD/CPaquet
LB12406500SUR14+DIP18
A4982SLPTR-T6500ALLÉGRO15+TSSOP-24
ADS1110A0IDBVR6494TI15+SOT23-6
AD8655ARZ6490ANNONCE15+SOP-8
MAX3072EESA+6489MAXIME13+CONCESSION
ATMEGA32-16AU6489ATMEL15+QFP44
MAX3100CEE+6481MAXIME14+SSOP
MAX4714EXT6480MAXIME15+IVROGNE
AD8676ARZ6476ANNONCE15+SOP-8
LA79116475SANYO15+DIP-16
ADP1710AUJZ-R76462ANNONCE14+SOT23
LA36006450SANYO10+DIP-16
L6221C6425St13+DIP-16
MAX8211ESA+6419MAXIME13+CONCESSION
PIC10F222T-I/OT6409PUCE14+IVROGNE
LT3572EUF#PBF6408LINÉAIRE14+QFN
L293B6400St12+DIP16
MAX3077EESA6390MAXIME12+CONCESSION
MBI5039GP6387MBI15+SSOP
MPC801KG6375BB14+IMMERSION
PIC16F1828-I/SS6374PUCE15+SSOP



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