Le canal Zener de N a protégé le transistor MOSFET superbe de puissance de MESHTM, STF13NK50Z
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STF13NK50Z, STP13NK50Z, STW13NK50Z
le N-canal 500 V, 0,40 Ω, 11 Un TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-a protégé le transistor MOSFET de puissance de SuperMESHTM
Caractéristiques
| Type | VDSS | Le RDS (dessus) maximum | Identification | Picowatt |
| STF13NK50Z | 500 V | <0> | 11 A | 30 W |
| STP13NK50Z | 500 V | <0> | 11 A | 140 W |
| STW13NK50Z | 500 V | <0> | 11 A | 140 W |
■Capacité extrêmement élevée de dv/dt
■l'avalanche 100% a examiné
■Charge de porte réduite au minimum
■Capacités intrinsèques très basses
■Très bon fabriquant la répétabilité
Applications
■Application de changement
Description
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition basée sur bande bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension.
Capacités absolues
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
| TO-220, TO-247 | TO-220FP | |||
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 500 | V | |
| VGS | tension de Porte-source | ± 30 | V | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) à comité technique = le °C 25 | 11 | 11(1) | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) au °C TC=100 | 6,93 | 6.93(1) | |
| IDM (2) | Courant de drain (pulsé) | 44 | 44(1) | |
| PTOT | Dissipation totale à comité technique = °C 25 | 140 | 30 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 1,12 | 0,24 | W/°C | |
| dv/dt (3) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 4,5 | V/ns | |
| VISO | La tension de tenue d'isolation (RMS) de chacun des trois mène au péché externe de la chaleur (t=1 s ; °C) de TC= 25 | 2500 | V | |
|
TJ Tstg |
La température de jonction fonctionnante Température de stockage |
-55 à 150 | °C | |
1. Limité seulement par la température maximale laissée
2. durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
3. ≤ 11 A, ≤ 200 A/µs, ≤ 80% V (BR) SAD d'ISD de di/dt de VDD
Schéma de principe interne
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| LTC4054LES5-4.2 | 6786 | LINÉAIRE | 14+ | SOT23-6 |
| ADA4627-1BRZ | 6782 | ANNONCE | 15+ | SOP-8 |
| AD8629ARZ | 6781 | ANNONCE | 15+ | SOP-8 |
| LM338T | 6780 | NSC | 14+ | TO-220 |
| MIC4424YN | 6775 | MICREL | 14+ | DIP-8 |
| LTC4210-1CS6 | 6753 | LINÉAIRE | 15+ | IVROGNE |
| LAA110 | 6750 | CLARP | 15+ | DIP-8 |
| ATF-33143-TR | 6749 | AVAGO | 15+ | SOT343 |
| LM78L05ACZ | 6744 | NSC | 15+ | TO-92 |
| PIC16F1503-I/SL | 6736 | PUCE | 14+ | CONCESSION |
| MAX8880EUT | 6725 | MAXIME | 14+ | IVROGNE |
| LA4224 | 6725 | SANYO | 13+ | DIP8 |
| LTC6905CS5-96 | 6720 | LINÉAIRE | 15+ | IVROGNE |
| 52271-2079 | 6704 | MOLEX | 15+ | connecteur |
| L4978 | 6700 | St | 14+ | DIP8 |
| MBC13900NT1 | 6694 | FREESCALE | 14+ | SOT-343 |
| ADR391BUJZ | 6688 | ANNONCE | 14+ | SOT23 |
| MAX6301CSA | 6672 | MAXIME | 14+ | CONCESSION |
| ADR01ARZ | 6670 | ANNONCE | 15+ | SOP8 |
| MBI5025GP | 6663 | MBI | 14+ | SSOP |
| MAX13041ASD+T | 6654 | MAXIME | 12+ | CONCESSION |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC