Transistor MOSFET AUDIO NUMÉRIQUE 200 V de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFI4020H-117P
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Caractéristiques
►? Paquet intégré de moitié-pont ?
►? Réduit le compte de pièce par moitié ?
►? Facilite une meilleure disposition de carte PCB ?
►? Les paramètres principaux ont optimisé pour des applications d'amplificateur audio de classe-d ?
►? Le bas RDS (DESSUS) pour l'efficacité améliorée ?
►? Bas Qg et Qsw pour un meilleur THD et une efficacité améliorée ? Bas Qrr pour un meilleur THD et un IEM inférieur ?
►? La livraison de boîte jusqu'à 300W par canal dans 8Ω charge dans l'amplificateur de configuration de moitié-pont ?
►? Paquet sans plomb
Description
Ce Moitié-pont de transistor MOSFET d'audio de Digital est spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateur audio de la classe D. Il se compose de deux commutateurs de transistor MOSFET de puissance reliés dans la configuration de moitié-pont. Le dernier processus est employé pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium. En outre, la charge de porte, la récupération inverse de corps-diode, et la résistance interne de porte sont optimisées pour améliorer des facteurs de représentation d'amplificateur audio de la classe principale D tels que l'efficacité, le THD et l'IEM. Celles-ci combinent pour faire à ce Moitié-pont un dispositif très efficace, robuste et fiable pour des applications d'amplificateur audio de la classe D.
Paramètre | Maximum | Unités | |
VDS | Tension de Drain-à-source | 200 | V |
VGS | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 9,1 | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 5,1 |