Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFDTU
npn smd transistor
,silicon power transistors
FGH60N60SFD
600V, arrêt de champ 60A IGBT
Caractéristiques
• Capacité à forte intensité
• Basse tension de saturation : VCE (s'est reposé) =2.3V @ IC = 60A
• Impédance élevée d'entrée
• Commutation rapide
• RoHS conforme
Applications
• Chauffage par induction, UPS, SMPS, PFC
Description générale
Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications de chauffage par induction, d'UPS, de SMPS et de PFC où la basse conduction et les pertes de changement sont essentielles.
Capacités absolues
Symbole | Description | Estimations | Unités |
VCES | Collecteur à la tension d'émetteur | 600 | V |
VGES | Porte à la tension d'émetteur | ± 20 | V |
IC | Courant de collecteur @ comité technique = 25℃ | 120 | |
Courant de collecteur @ comité technique = 100℃ | 60 | ||
Missile aux performances améliorées (1) | Courant de collecteur pulsé @ comité technique = 25℃ | 180 | |
Palladium | Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25℃ | 378 | W |
Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100℃ | 151 | W | |
TJ | La température de jonction fonctionnante | -55 à +150 | ℃ |
Tstg | Température ambiante de température de stockage | -55 à +150 | ℃ |
TL | Temp maximum d'avance. pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes | 300 | ℃ |
Notes : 1 : Essai répétitif, durée d'impulsion limitée par la température maximale de juntion
Dimensions mécaniques
TO-247AB (CODE 001 DE PAQUET DE FKS)

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
