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Puissance complémentaire DarliCM GROUPon Transistors de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance TIP122

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
tension d'Émetteur-base:
5 V
Collector Current:
5 A
Collector Peak Current:
8 A
Base Current:
0.1 A
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
Point culminant:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduction

TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLICM GROUPON DE SILICIUM

STMicroelectronics A PRÉFÉRÉ SALESTYPES

DESCRIPTION

Les TIP120, les TIP121 et les TIP122 sont des transistors de puissance de l'Épitaxial-base NPN de silicium dans la configuration monolithique de DarliCM GROUPon montée en paquet en plastique de Jedec TO-220. Ils intented pour l'usage dans des applications linéaires et commutantes de puissance. Les types complémentaires de PNP sont TIP125, TIP126 et TIP127, respectivement.

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole Paramètre Valeur Unité
NPN TIP120 TIP121 TIP122
PNP TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Tension de collecteur-base (IE = 0) 60 80 100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur (IB = 0) 60 80 100 V
VEBO SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE (IC = 0) 5 V
IC Courant de collecteur 5
Missile aux performances améliorées Courant de pointe de collecteur 8
IB Courant bas 0,1
Ptot

Dissipation totale au ℃ du ≤ 25 de Tcase

℃ du ≤ 25 de Tamb

65

2

W
Tstg Température de stockage -65 à 150
Tj La température de jonction de Max. Operating 150

TO-220 SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE

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