Puissance complémentaire DarliCM GROUPon Transistors de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance TIP122
npn smd transistor
,multi emitter transistor
TIP120/121/122
TIP125/126/127
TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLICM GROUPON DE SILICIUM
■STMicroelectronics A PRÉFÉRÉ SALESTYPES
DESCRIPTION
Les TIP120, les TIP121 et les TIP122 sont des transistors de puissance de l'Épitaxial-base NPN de silicium dans la configuration monolithique de DarliCM GROUPon montée en paquet en plastique de Jedec TO-220. Ils intented pour l'usage dans des applications linéaires et commutantes de puissance. Les types complémentaires de PNP sont TIP125, TIP126 et TIP127, respectivement.
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |||
| NPN | TIP120 | TIP121 | TIP122 | |||
| PNP | TIP125 | TIP126 | TIP127 | |||
| VCBO | Tension de collecteur-base (IE = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur (IB = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VEBO | SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE (IC = 0) | 5 | V | |||
| IC | Courant de collecteur | 5 | ||||
| Missile aux performances améliorées | Courant de pointe de collecteur | 8 | ||||
| IB | Courant bas | 0,1 | ||||
| Ptot |
Dissipation totale au ℃ du ≤ 25 de Tcase ℃ du ≤ 25 de Tamb |
65 2 |
W | |||
| Tstg | Température de stockage | -65 à 150 | ℃ | |||
| Tj | La température de jonction de Max. Operating | 150 | ℃ | |||
TO-220 SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE

