REDRESSEURS ULTRA-RAPIDES de puce de circuit intégré de MUR1660CTG 8,0 AMPÈRES, VOLTS 100−600
npn smd transistor
,silicon power transistors
MUR1610CT, MUR1615CT, MUR1620CT, MUR1640CT, MUR1660CT
Redresseurs de puissance de SWITCHMODETM
Ces dispositifs de state−of−the−art sont des séries conçues pour l'usage dans les alimentations d'énergie de changement, inverseurs et en tant que diodes de roulement libres.
Caractéristiques
• Temps de rétablissement ultra-rapides de 35 et 60 nanosecondes
• la température de jonction 175°C fonctionnante
• Paquet TO−220 populaire
• UL époxyde 94 V−0 @ 0,125 de rassemblements po
• Jonction passivée en verre à hautes températures
• Capacité à haute tension à 600 V
• @ température du carter 150°C spécifique basse par fuite
• @ cas de sous-sollicitation actuel et températures ambiantes
• Les paquets de Pb−Free sont Available*
Caractéristiques mécaniques :
• Cas : Époxyde, moulé
• Poids : 1,9 grammes (approximativement)
• Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avances terminales sont aisément Solderable
• La température d'avance pour le soudure : maximum 260°C pendant 10 secondes
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Estimation | Symbole | MUR16 | Unité | ||||
| 10CT | 15CT | 20CT | 40CT | 60CT | |||
|
Tension inverse répétitive maximale Tension inverse maximale fonctionnante Tension de blocage de C.C |
VRRM VRWM VR |
100 | 150 | 200 | 400 | 600 | V |
|
Courant en avant rectifié par moyenne Par jambe Dispositif total, (a évalué VR), comité technique = 150°C Dispositif total |
SI (POIDS DU COMMERCE) |
8,0 16 |
|||||
|
La crête a rectifié en avant actuel Par jambe de diode (A évalué VR, l'onde rectangulaire, 20 kilohertz), comité technique = 150°C |
IFM | 16 | |||||
|
Courant de montée subite maximal non répétitif (Montée subite appliquée à mi-onde évaluée de conditions de charge, à monophasé, 60 hertz) |
IFSM | 100 | |||||
| La température et température de stockage de jonction fonctionnantes |
TJ, Tstg |
-65 à +175 | °C | ||||
Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
REDRESSEURS ULTRA-RAPIDES 8,0 AMPÈRES, VOLTS 100−600
PLASTIQUE du CAS 221A de TO−220AB
DIAGRAMME DE REPÉRAGE
= emplacement d'Assemblée
Y = année
WW = semaine de travail
U16xx = code de dispositif
xx = 10, 15, 20, 40 ou 60
G = paquet de Pb−Free
KA = polarité de diode
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC