Transistors planaires Si-épitaxiaux à montage en surface BCP53
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Montage en surface SOT-223-4
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
Courant de collecteur – Kollektorstrom (C.C):
1 A
Courant de collecteur maximal – Koll. - Spitzenstrom:
1,5 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
La température de jonction – Sperrschichttemperatur:
150 ? ℃
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
Point culminant:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introduction
Array
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Courant:
MOQ:
10pcs