Transistor d'usage universel BC848B de NPN
Caractéristiques
Collector current:
100mA
Courant de collecteur maximal:
200mA
Peak base current:
200mA
Total power dissipation:
250mW
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
150°C
Storage temperature:
-65 to +150°C
Point culminant:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introduction
Caractéristiques
• À faible intensité (maximum 100 mA).
• Basse tension (maximum 65 V).
Ventres de capacités absolues = 25°C
Paramètre | Symbole | BC846 | BC847 | BC848 | Unité |
Tension de collecteur-base | VCBO | 80 | 50 | 30 | V |
Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 65 | 45 | 30 | V |
tension d'Émetteur-base | VEBO | 6 | 6 | 5 | V |
Courant de collecteur | IC | 100 | mA | ||
Courant de collecteur maximal | Missile aux performances améliorées | 200 | mA | ||
Courant bas maximal | IBM | 200 | mA | ||
Dissipation de puissance totale * | Ptot | 250 | mW | ||
La température de jonction | Tj | 150 | °C | ||
Température de stockage | Tstg | -65 à +150 | °C | ||
Température ambiante fonctionnante | Ramb | -65 à +150 | °C | ||
Résistance thermique de jonction à ambiant * | J-a de Rth | 500 | K/W |
* le transistor a monté sur un panneau du circuit imprimé FR4, empreinte de pas standard.
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Courant:
MOQ:
10pcs