Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Caractéristique 1:
Finition sans plomb/RoHS conforme
Caractéristique 2:
la température de jonction 150°C
feature 3:
Through Hole Package
Caractéristique 4:
L'époxyde rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94
feature 5:
Moisure Sensitivity Level 1
Marking:
Type Number
Point culminant:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introduction
Caractéristiques
•? Finition sans plomb/RoHS conforme (le suffixe de « P » indique
RoHS conforme. Voir l'information de commande)
•? la température de jonction de 150o C
• Par le paquet de trou
• L'époxyde rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94
• Niveau 1 de sensibilité de Moisure
• Inscription : Type nombre
Données mécaniques
? • Cas : TO-92, plastique moulé
• Polarité : indiqué en tant que ci-dessous.
Estimations maximum @ 25o C sauf indication contraire
| Charateristic | Symbole | Valeur | Unité |
|
Tension de collecteur-émetteur BC556 BC557 BC558 |
VCEO |
-65 -45 -30 |
V |
|
Tension de collecteur-base Because556 BC557 BC558 |
VCBO |
-80 -50 -30 |
V |
| Tension d'Émetteur-base | VEBO | -5,0 | V |
| Courant de collecteur (C.C) | IC | -100 | mA |
| Puissance Dissipation@TA =25°C | Palladium |
625 5,0 |
mW mW/°C |
| Puissance Dissipation@TC =25°C | Palladium |
1,5 12 |
mW mW/°C |
| Résistance thermique, jonction à l'air ambiant | R JA | 200 | °C/W |
| Résistance thermique, jonction à enfermer | R JC | 83,3 | °C/W |
| Opération et température de stockage | Tj, TSTG | -55~150 | °C |
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MOQ:
10pcs