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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor multi BT137-600E d'émetteur de catalogue produit de thyristor

Transistor multi BT137-600E d'émetteur de catalogue produit de thyristor

Transistor multi BT137-600E d'émetteur de catalogue produit de thyristor
Transistor multi BT137-600E d'émetteur de catalogue produit de thyristor
Transistor multi BT137-600E d'émetteur de catalogue produit de thyristor
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Repetitive peak off-state:
600 V
RMS on-state current:
8 A
Non-repetitive peak on-state current:
65A
full sine wave:
Tj = 25 ˚C prior to surge
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Le verre a passivé, les triacs sensibles de porte sous enveloppe en plastique, destinée au purposebidirectional d'utilisation en général applications de commutation et de contrôle de phase, où la sensibilité élevée est exigée dans chacun des quatre

quarts de cercle.

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

SYMBOLE PARAMÈTRE MAXIMUM. MAXIMUM. MAXIMUM. UNITÉ

VDRM

SERVICE INFORMATIQUE (RMS)

TSM

BT137-

Tensions hors état maximales répétitives

Courant de sur-état de RMS

Courant maximal non répétitif de sur-état

500E

500

8

65

600E

600

8

65

800E

800

8

65

V

VALEURS LIMITES

Valeurs limites selon le système maximum absolu (le CEI 134).

Porte sensible de la série E des triacs BT137

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