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Le transistor MOSFET IC IRF1404PBF de puissance de fossé a avancé la Sur-résistance très réduite

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Features:
Advanced Process Technology
Features2:
Ultra Low On-Resistance
Features3:
Dynamic dv/dt Rating
Features4:
175°C Operating Temperature
Features5:
Fast Switching
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Le transistor MOSFET IC IRF1404PBF de puissance de fossé a avancé la Sur-résistance très réduite

Description

Les septièmes transistors MOSFET de puissance de la génération HEXFETÆ du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications comprenant des véhicules à moteur.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications des véhicules à moteur-commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

? Technologie transformatrice avancée ?

Sur-résistance très réduite ?

Estimation dynamique de dv/dt ? 175°C

Température de fonctionnement ?

Commutation rapide ?

Entièrement avalanche évaluée ?

Des véhicules à moteur qualifié (Q101) ?

Sans plomb

Notes sur les courbes répétitives d'avalanche, les schémas 15, 16 : (Pour de plus amples informations, voir l'AN-1005 chez www.irf.com)

1. Hypothèse d'échecs d'avalanche : Purement un phénomène et un échec thermiques se produit à une température loin au-dessus de Tjmax. Ceci est validé pour chaque type de partie.

2. On permet l'exploitation sûre dans l'avalanche car le long asTjmax n'est pas dépassé.

3. Équation ci-dessous basée sur le circuit et les formes d'onde représentés sur les figures 12a, 12b.

4. Palladium (avenue) = dissipation de puissance moyenne par impulsion simple d'avalanche.

5. La BV = tension claque évaluée (le facteur 1,3 explique l'augmentation de tension pendant l'avalanche).

6. Iav = courant permis d'avalanche.

7. ∆T = hausse permise de la température de jonction, pour ne pas dépasser Tjmax (a supposé comme 25°C sur le schéma 15, 16). tav = temps moyen dans l'avalanche. Coefficient de D = d'utilisation dans l'avalanche = le tav ·f ZthJC (D, tav) = résistance thermique passagère, voient la figure 11)

Paramètre Type Maximum. Unités
RθJC Jonction-à-cas -- 0,45 °C/W
RθCS Cas-à-évier, surface plate et graissée 0,50 ---
RθJA Jonction-à-ambiant -- 62

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