Le transistor MOSFET IC IRF1404PBF de puissance de fossé a avancé la Sur-résistance très réduite
npn smd transistor
,silicon power transistors
Le transistor MOSFET IC IRF1404PBF de puissance de fossé a avancé la Sur-résistance très réduite
Description
Les septièmes transistors MOSFET de puissance de la génération HEXFETÆ du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications comprenant des véhicules à moteur.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications des véhicules à moteur-commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
? Technologie transformatrice avancée ?
Sur-résistance très réduite ?
Estimation dynamique de dv/dt ? 175°C
Température de fonctionnement ?
Commutation rapide ?
Entièrement avalanche évaluée ?
Des véhicules à moteur qualifié (Q101) ?
Sans plomb
Notes sur les courbes répétitives d'avalanche, les schémas 15, 16 : (Pour de plus amples informations, voir l'AN-1005 chez www.irf.com)
1. Hypothèse d'échecs d'avalanche : Purement un phénomène et un échec thermiques se produit à une température loin au-dessus de Tjmax. Ceci est validé pour chaque type de partie.
2. On permet l'exploitation sûre dans l'avalanche car le long asTjmax n'est pas dépassé.
3. Équation ci-dessous basée sur le circuit et les formes d'onde représentés sur les figures 12a, 12b.
4. Palladium (avenue) = dissipation de puissance moyenne par impulsion simple d'avalanche.
5. La BV = tension claque évaluée (le facteur 1,3 explique l'augmentation de tension pendant l'avalanche).
6. Iav = courant permis d'avalanche.
7. ∆T = hausse permise de la température de jonction, pour ne pas dépasser Tjmax (a supposé comme 25°C sur le schéma 15, 16). tav = temps moyen dans l'avalanche. Coefficient de D = d'utilisation dans l'avalanche = le tav ·f ZthJC (D, tav) = résistance thermique passagère, voient la figure 11)
| Paramètre | Type | Maximum. | Unités | |
| RθJC | Jonction-à-cas | -- | 0,45 | °C/W |
| RθCS | Cas-à-évier, surface plate et graissée | 0,50 | --- | |
| RθJA | Jonction-à-ambiant | -- | 62 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
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