Transistor 25A 125W de puissance élevée de Pin Transistor BD249C-S NPN de l'original 3
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor 25A 125W de puissance élevée de Pin Transistor BD249C NPN de l'original 3
Transistor NPN BD249C de NPN High−Power
les transistors de high−power sont pour l'amplificateur de puissance de general−purpose et les applications de changement.
Caractéristiques
• Estimations d'ESD : Modèle de machine, C ; De > modèle de corps humain 400 V, 3B ; > 8000 V
• UL époxyde 94 V−0 @ 0,125 de rassemblements
• Le paquet de Pb−Free est Available*
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension d'émetteur de − de collecteur | Vceo | 100 | Volts continu |
| Tension basse de − de collecteur | Vcbo | 100 | Volts continu |
| Tension basse de − d'émetteur | Vebo | 5,0 | Volts continu |
| Crête continue de − de courant de collecteur (note 1) | IC |
25 40 |
CDA Apk |
| − actuel bas continu | Ib | 5,0 | CDA |
| La dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C | Palladium |
125 1,0 |
W W/°C |
| Température ambiante de jonction d'opération et de stockage |
TJ, Tstg |
– 65 à +150 | °C |
| Charge inductive Unclamped | ESB | 90 | MJ |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
| Caractéristique | Symbole | Maximum | Unité |
|
Résistance thermique, Junction−to−Case |
RøJC | 1,0 | °C/W |
|
Résistance thermique, Junction−to−Ambient |
RøJA | 35,7 | °C/W |
Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif.
Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. Opération fonctionnelle
au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliqué.
Exposition prolongée aux efforts au-dessus du recommandé
Les conditions de fonctionnement peuvent affecter la fiabilité de dispositif. 1. impulsion
Essai : Durée d'impulsion 300 s, coefficient d'utilisation 2,0%. *
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC