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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Original épitaxial de transistor de silicium de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Original épitaxial de transistor de silicium de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Original épitaxial de transistor de silicium de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
Original épitaxial de transistor de silicium de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
hFE Classification R:
55-110
hFE Classification O:
80-160
Main Line:
IC components, Transistor, Diode, Module,Capacitor etc
Voltage:
230V
Temperature:
-50-+150°C
Package:
TO-3P
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Original épitaxial de transistor de silicium de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Transistor épitaxial 2SC5242 de silicium de NPN

Applications

• Amplificateur haute-fidélité de sortie audio

• Caractéristiques d'usage universel d'amplificateur de puissance

• Capacité à forte intensité : IC = 15A

• Dissipation de puissance élevée : 130watts

• À haute fréquence : 30MHz.

• Haute tension : VCEO=230V

• S.O.A large pour l'opération fiable.

• Excellentes linéarités de gain pour bas THD.

• Complément à 2SA1962/FJA4213.

• Les modèles thermiques et électriques d'épice sont disponibles

• Le même transistor est également disponible dedans : --Paquet TO264,

2SC5200/FJL4315 : 150 watts --Paquet TO220,

FJP5200 : 80 watts --Paquet de TO220F, FJPF5200 : 50 watts

Ratings* maximum absolu merci = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre Estimations Unités
BVCBO Tension de collecteur-base 230 V
BVCEO Tension de collecteur-émetteur 230 V
BVEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur (C.C) 15
IB Courant de base 1,5
Palladium Dissipation totale de dispositif (TC=25°C) sous-sollicitent au-dessus de 25°C

130

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG Jonction et température de stockage -50-+150 °C

* ces estimations sont des valeurs limites au-dessus dont l'utilité de n'importe quel dispositif de semi-conducteur peut être altérée.

Characteristics* thermique Ta=25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre MAXIMUM. Unité
RθJC Résistance thermique, jonction à enfermer 0,96 W/°C

* dispositif monté sur la taille minimum de protection

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