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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor MOSFET électrique de puissance du transistor IC HEXFET de transistor MOSFET de puissance d'IRFZ34NPBF

Transistor MOSFET électrique de puissance du transistor IC HEXFET de transistor MOSFET de puissance d'IRFZ34NPBF

Transistor MOSFET électrique de puissance du transistor IC HEXFET de transistor MOSFET de puissance d'IRFZ34NPBF
Transistor MOSFET électrique de puissance du transistor IC HEXFET de transistor MOSFET de puissance d'IRFZ34NPBF
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Pulsed Drain Current:
100 A
Power Dissipation:
68 W
Linear Derating Factor:
0.45 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
65 mJ
Avalanche Current:
16 A
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

IRFZ34NPbF

Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®

? • Processus avancé

? • Technologie ? Sur-résistance très réduite ?

? • Estimation dynamique de dv/dt ?

? • température de fonctionnement 175°C ?

? • Commutation rapide ?

? • Facilité de la parallélisation

? • Sans plomb

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser la plus basse possible sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 29
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 20
IDM Courant pulsé de drain 100
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 68 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,45 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 20 V
EAS Énergie simple d'avalanche d'impulsion 65 MJ
IAR Courant d'avalanche 16
OREILLE Énergie répétitive d'avalanche 6,8 MJ
dv/dt Récupération maximale dv/dt de diode ? 5,0 V/ns
TJ TSTG Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -55 + à 175 °C
La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas) °C
Montant le couple, 6-32 ou le srew M3 10 livres-force•dans (1.1N•m)

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
MAX705EPA 4111 MAXIME 16+ IMMERSION
VIPER28LN 4111 St 16+ DIP-7
ULN2003AN 4112 TI 13+ DIP16
CPC5710NTR 4120 CLAREC 15+ SOP8
IS62WV5128BLL-55HLI 4120 ISSI 16+ TSOP
SUD25N06-45L 4120 VISHAY 16+ TO-252
TLP281-4 4120 TOSHIBA 14+ SOP-16
NCP1117 4125 SUR 14+ SOT-223
ULN2803 4178 TOS 14+ IMMERSION
1N4007 40000 MIC 16+ DO-41
A03400A 4200 AOS 16+ SOT-23
AP85T03GH 4200 APEC 13+ TO-252
BCX51-10 4200 15+ SOT-89
BT139X-600E 4200 16+ TO-220F
HD74LS151P 4200 FRAPPEZ 16+ IMMERSION
IRF9Z24NPBF 4200 IR 14+ TO-220
LM5007MM 4200 NS 14+ MSOP8
MC74VHC1GT32DFT1G 4200 SUR 14+ SC70-5
MCIMX515DJM8C 4200 FREESCALE 16+ BGA
MSP430F2232IDAR 4200 TI 16+ TSSOP38
NC7S04M5X 4200 FAIRCHILD 13+ SOT-153
SB360 4200 VISHAY 15+ DO-201AD
SC16C554BIB64 4200 16+ QFP
SN74LVC1G32DBVR 4200 TI 16+ SOT-153
SS34 4200 VISHAY 14+ SMA
TPS61221DCKR 4200 TI 14+ SC70-6
EP3C10E144C8N 4210 ALTERA 14+ TQFP
TLP161G 4210 TOSHIBA 16+ SOP4
GP1A52HRJ00F 4211 DIÈSE 16+ IMMERSION
HCF4556BE 4211 STM 13+ DIP-16

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