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Transistor de transistor MOSFET de N-canal de COMMUTATEUR du module PDP de transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
91 A
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Operating Junction and Storage Temperature:
-40 to + 175°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300°C
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

COMMUTATEUR IRFB4229PbF de PDP

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Caractéristiques ?

• Technologie transformatrice avancée ?

• Les paramètres principaux optimisés pour le PDP des applications de commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage ?

• La basse estimation d'EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans le PDP soutiennent,

Applications de commutateur de récupération de l'énergie et de passage ?

• Bas QG pour la réponse rapide ?

• Capacité répétitive élevée de courant de pointe pour l'opération fiable ?

• Temps de montée de moins-value et pour la commutation rapide ?

• la température de jonction 175°C fonctionnante pour la rugosité améliorée ?

• Capacité répétitive d'avalanche pour la robustesse et la fiabilité

Paramètres principaux

Minute de VDS 250 V
Type de VDS (avalanche). 300 V
Type du RDS (DESSUS). @ 10V 38
IRP maximum @ comité technique = 100°C 91
TJ maximum 175 °C

Description ? ? ?

Ce transistor MOSFET de puissance de HEXFET® est spécifiquement conçu pour Sustain ; Applications de commutateur de récupération de l'énergie et de passage dans des panneaux d'écran plasma. Ce transistor MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium et la basse estimation d'EPULSE. Les caractéristiques supplémentaires de ce transistor MOSFET sont la température de jonction 175°C de fonctionnement et capacité répétitive élevée de courant de pointe. Ces caractéristiques combinent pour faire à ce transistor MOSFET un dispositif très efficace, robuste et fiable pour le PDP conduisant des applications.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
VGS Tension de Porte-à-source ±30 V
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 46
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 33
IDM Courant pulsé de drain 180
IRP @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant de pointe répétitif ? 91
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 330 W
Palladium @TC = 100°C Dissipation de puissance 190 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 2,2 W/°C
TJ TSTG Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -40 + à 175 °C
La température de soudure pendant 10 secondes 300 °C
Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 10lbin (1.1Nm) N

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
HIP4080AIBZT 3925 INTERSIL 15+ CONCESSION
TNY266PN 3970 PUISSANCE 16+ DIP7
LM7912CT 3990 NS 16+ TO-220
HCNW4503 3991 AVAGO 14+ SOP8DIP8
ICL7650SCBA 3996 INTERSIL 14+ SOP-8
LM2575HVT-ADJ 3997 NS 14+ TO-220
MUR3020PT 3997 SUR 16+ TO-3P
IRFR5305 3998 IR 16+ TO-252
MJ802 3998 SUR 13+ TO-3
LBAT54XV2T1G 3999 SUR 15+ SOD-523
VN10LFTA 3999 ZETEX 16+ SOT23
1N5341B 4000 SUR 16+ CASE17
1N5343B 4000 SUR 14+ DO-02
2SC2383 4000 TOSHIBA 14+ TO-92
2SC3807 4000 SANYO 14+ TO-126
2SK170BL 4000 TOSHIBA 16+ TO-92
74HC174D 4000 16+ SOP-16
74LVC245AD 4000 13+ CONCESSION
AD8572ARZ 4000 ANNONCE 15+ SOP8
AT24C512C-SSHD-T 4000 ATEML 16+ SOP8
BCV48 4000 16+ SOT-89
BD137 4000 St 14+ TO-126
BTS721L1 4000 14+ SOP-20
CD4027BE 4000 TI 14+ IMMERSION
CPC1017N 4000 CLARE 16+ SOP4
IRF7307 4000 IR 16+ SOP8
IRFR210 4000 IR 13+ SOT-252
LT1963AEST-3.3 4000 LT 15+ SOT-223
MIC4424BN 4000 MICREL 16+ DIP8
MICROSMD050F-2 4000 TYCO 16+ SMD

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