Transistor de transistor MOSFET de N-canal de COMMUTATEUR du module PDP de transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF
power mosfet ic
,silicon power transistors
COMMUTATEUR IRFB4229PbF de PDP
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Caractéristiques ?
• Technologie transformatrice avancée ?
• Les paramètres principaux optimisés pour le PDP des applications de commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage ?
• La basse estimation d'EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans le PDP soutiennent,
Applications de commutateur de récupération de l'énergie et de passage ?
• Bas QG pour la réponse rapide ?
• Capacité répétitive élevée de courant de pointe pour l'opération fiable ?
• Temps de montée de moins-value et pour la commutation rapide ?
• la température de jonction 175°C fonctionnante pour la rugosité améliorée ?
• Capacité répétitive d'avalanche pour la robustesse et la fiabilité
Paramètres principaux
Minute de VDS | 250 | V |
Type de VDS (avalanche). | 300 | V |
Type du RDS (DESSUS). @ 10V | 38 | mΩ |
IRP maximum @ comité technique = 100°C | 91 | |
TJ maximum | 175 | °C |
Description ? ? ?
Ce transistor MOSFET de puissance de HEXFET® est spécifiquement conçu pour Sustain ; Applications de commutateur de récupération de l'énergie et de passage dans des panneaux d'écran plasma. Ce transistor MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium et la basse estimation d'EPULSE. Les caractéristiques supplémentaires de ce transistor MOSFET sont la température de jonction 175°C de fonctionnement et capacité répétitive élevée de courant de pointe. Ces caractéristiques combinent pour faire à ce transistor MOSFET un dispositif très efficace, robuste et fiable pour le PDP conduisant des applications.
Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
---|---|---|---|
VGS | Tension de Porte-à-source | ±30 | V |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 46 | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 33 | |
IDM | Courant pulsé de drain | 180 | |
IRP @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant de pointe répétitif ? | 91 | |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 330 | W |
Palladium @TC = 100°C | Dissipation de puissance | 190 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 2,2 | W/°C | |
TJ TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -40 + à 175 | °C |
La température de soudure pendant 10 secondes | 300 | °C | |
Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 | 10lbin (1.1Nm) | N |
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
HIP4080AIBZT | 3925 | INTERSIL | 15+ | CONCESSION |
TNY266PN | 3970 | PUISSANCE | 16+ | DIP7 |
LM7912CT | 3990 | NS | 16+ | TO-220 |
HCNW4503 | 3991 | AVAGO | 14+ | SOP8DIP8 |
ICL7650SCBA | 3996 | INTERSIL | 14+ | SOP-8 |
LM2575HVT-ADJ | 3997 | NS | 14+ | TO-220 |
MUR3020PT | 3997 | SUR | 16+ | TO-3P |
IRFR5305 | 3998 | IR | 16+ | TO-252 |
MJ802 | 3998 | SUR | 13+ | TO-3 |
LBAT54XV2T1G | 3999 | SUR | 15+ | SOD-523 |
VN10LFTA | 3999 | ZETEX | 16+ | SOT23 |
1N5341B | 4000 | SUR | 16+ | CASE17 |
1N5343B | 4000 | SUR | 14+ | DO-02 |
2SC2383 | 4000 | TOSHIBA | 14+ | TO-92 |
2SC3807 | 4000 | SANYO | 14+ | TO-126 |
2SK170BL | 4000 | TOSHIBA | 16+ | TO-92 |
74HC174D | 4000 | 16+ | SOP-16 | |
74LVC245AD | 4000 | 13+ | CONCESSION | |
AD8572ARZ | 4000 | ANNONCE | 15+ | SOP8 |
AT24C512C-SSHD-T | 4000 | ATEML | 16+ | SOP8 |
BCV48 | 4000 | 16+ | SOT-89 | |
BD137 | 4000 | St | 14+ | TO-126 |
BTS721L1 | 4000 | 14+ | SOP-20 | |
CD4027BE | 4000 | TI | 14+ | IMMERSION |
CPC1017N | 4000 | CLARE | 16+ | SOP4 |
IRF7307 | 4000 | IR | 16+ | SOP8 |
IRFR210 | 4000 | IR | 13+ | SOT-252 |
LT1963AEST-3.3 | 4000 | LT | 15+ | SOT-223 |
MIC4424BN | 4000 | MICREL | 16+ | DIP8 |
MICROSMD050F-2 | 4000 | TYCO | 16+ | SMD |

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film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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