Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > N-CANAL PowerMESH très rapide IGBT de module de transistor MOSFET de puissance de STGW20NC60VD

N-CANAL PowerMESH très rapide IGBT de module de transistor MOSFET de puissance de STGW20NC60VD

N-CANAL PowerMESH très rapide IGBT de module de transistor MOSFET de puissance de STGW20NC60VD
N-CANAL PowerMESH très rapide IGBT de module de transistor MOSFET de puissance de STGW20NC60VD
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector-Emitter Voltage:
600 V
Reverse Battery Protection:
20 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current (pulsed):
100 A
Derating Factor:
1.6 W/°C
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

STGW20NC60VD

N-CANAL 30A - 600V TO-247 PowerMESH™ rapide même IGBT

Caractéristiques générales

TYPE VCES VCE (reposé) @25°C (maximum) IC @100°C
STGW20NC60VD 600 V < 2="">30 A

■OUTRE DES PERTES INCLUEZ LE COURANT DE QUEUE

■LES PERTES INCLUENT L'ÉNERGIE DE RÉCUPÉRATION DE DIODE

■CAPACITÉ À FORTE INTENSITÉ

■OPÉRATION À HAUTE FRÉQUENCE JUSQU'À 50 kilohertz

■DIODE ANTIPARALLÈLE DE RÉCUPÉRATION ULTRA-RAPIDE DOUCE MÊME

■ABAISSEZ LE RAPPORT DE CRES /CIES

■PRODUITS DE NOUVELLE GÉNÉRATION AVEC UNE DISTRIBUTION PLUS SERRÉE DE PARAMÈTRE

DESCRIPTION

Utilisant la dernière technologie à haute tension basée sur une disposition brevetée de bande, STMicroelectronics a conçu une famille avancée d'IGBTs, le PowerMESH™ IGBTs, avec des représentations exceptionnelles. Le suffixe « V » identifie une famille optimisée pour des applications à haute fréquence.

APPLICATIONS

■INVERSEURS À HAUTE FRÉQUENCE

■SMPS et PFC DANS LES LES DEUX COMMUTATEUR DUR ET TOPOLOGIES RÉSONNANTES

■UPS

■CONDUCTEURS DE MOTEUR

Capacités absolues

Symbole Paramètre Valeur Symbole
VCES Tension de collecteur-émetteur (VGS = 0) 600 V
VECR Protection inverse de batterie 20 V
VGE Tension de Porte-émetteur ± 20 V
IC Courant de collecteur (continu) à 25°C (#) 60
IC Courant de collecteur (continu) à 100°C (#) 30
Missile aux performances améliorées (1) Courant de collecteur (pulsé) 100
Si Courant en avant de la diode RMS à comité technique = 25°C 30
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 200 W
Sous-sollicitation du facteur 1,6 W/°C
Tstg Température de stockage – 55 à 150 °C
Tj La température de jonction fonctionnante – 55 à 150 °C

(1) durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
R2A15908SP 7631 RENESAS 16+ SOP-28
R4363 8626 HARRIS 16+ TO-263
R5F100LEAFA#V0 1933 RENESAS 12+ LQFP-64
RA30H2127M 1228 MITSUBISH 12+ H2S
RA35H1516M 1255 MITSUBISH 15+ IMMERSION
RB160L-90 TE25 65000 ROHM 15+ SOD-106
RB160M-60 155000 ROHM 14+ SOD-123
RB450F 12000 ROHM 14+ SOT-323
RB551V-30 9000 ROHM 16+ SOD-323
RC4558DR 31000 TI 16+ SOP-8
RCLAMP0504F.TCT 64000 SEMTECH 15+ SOT-363
RCLAMP0504S.TCT 65000 SEMTECH 15+ SOT23-6
RCLAMP0524P.TCT 158000 SEMTECH 13+ SLP2510P8
RD06HVF1 2253 MITSUBISH 14+ TO-220
REF03GS 5373 L'ADI 16+ SOP-8
REF192FSZ 4252 ANNONCE 13+ SOP-8
REF192GSZ 6359 ANNONCE 16+ SOP-8
REF195GSZ 3984 ANNONCE 16+ SOP-8
REF198FS-REEL 5545 ANNONCE 06+ SOP-8
REF3030AIDBZR 4334 TI 15+ SOT-23
REF3040AIDBZR 4160 TI 15+ SOT-23
REF5020AIDR 3759 TI 16+ SOP-8
REF5025AIDGKR 7693 TI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 TI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 TI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Tous droits réservés.