Transistor P - transistor MOSFET de transistor MOSFET de puissance d'IRFR9120N de puissance de commutation de la Manche
multi emitter transistor
,silicon power transistors
IRFR/U9120N
Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®
• Sur-résistance très réduite
• P-canal
• Bâti extérieur (IRFR9120N)
• Avance droite (IRFU9120N)
• Technologie transformatrice avancée
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
Description
La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour l'à travers-trou montant des applications. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bâti.
Capacités absolues
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
|---|---|---|---|
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ -10V | -6,6 | |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ -10V | -4,2 | |
| IDM | Pulsé vidangez le actuel | -26 | |
| Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 40 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,32 | W/°C | |
| VGS | Tension de Porte-à-source | ± 20 | V |
| EAS | simple d'énergie d'avalanche d'impulsion | 100 | MJ |
| IAR | actuel d'avalanche | -6,6 | |
| OREILLE | répétitif d'énergie d'avalanche | 4,0 | MJ |
| dv/dt | maximal de la récupération dv/dt de diode | -5,0 | V/ns |
| TJ, TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -55 + à 150 | °C |
| La température de soudure, pendant 10 secondes | 300 (1.6mm du cas) | °C |
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| LM3102MHX | 4578 | NS | 1540+ | TSSOP-20 |
| LM311DR | 58000 | TI | 13+ | SOP-8 |
| LM311DT | 60000 | St | 16+ | SOP-8 |
| LM317AMDT | 52000 | NS | 13+ | TO-252 |
| LM317BTG | 13900 | SUR | 11+ | TO-220 |
| LM317DCYR | 20007 | TI | 16+ | SOT-223 |
| LM317LD13TR | 17000 | St | 16+ | SOP-8 |
| LM317LZ | 21782 | TI | 15+ | TO-92 |
| LM317MBSTT3G | 4644 | SUR | 15+ | SOT-223 |
| LM317MDTRKG | 5965 | SUR | 14+ | TO-252 |
| LM317MDT-TR | 59000 | St | 15+ | TO-252 |
| LM317MDTX | 93000 | NS | 14+ | TO-252 |
| LM318P | 3377 | TI | 03+ | DIP-8 |
| LM321MFX | 6036 | TI | 10+ | SOT-23 |
| LM324ADR | 66000 | TI | 16+ | SOP-14 |
| LM324ADR2G | 11000 | SUR | 14+ | SOP-14 |
| LM324DR | 55000 | TI | 16+ | SOP-14 |
| LM324MX | 6674 | NS | 16+ | SOP-14 |
| LM324N | 28000 | TI | 13+ | DIP-14 |
| LM336DR-2-5 | 6529 | TI | 16+ | SOP-8 |
| LM339APWR | 58000 | TI | 14+ | TSSOP-14 |
| LM339DT | 110000 | St | 12+ | SOP-14 |
| LM339MX | 15905 | NSC | 03+ | SOP-14 |
| LM3404HVMRX | 14402 | TI | 16+ | SOP-8 |
| LM3404MAX | 14745 | NS | 15+ | SOP-8 |
| LM340T-15 | 4529 | NS | 13+ | TO-220 |
| LM3411M5-5.0 | 6998 | TI | 00+ | SOT23-5 |
| LM3414HVMR | 8906 | TI | 10+ | SOP-8 |
| LM347MX | 5871 | NSC | 11+ | CONCESSION |
| LM3480IM3X-3.3 | 15676 | TI | 05+ | SOT23-3 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
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