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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > transistor MOSFET de changement rapide IRFP260NPBF de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A

transistor MOSFET de changement rapide IRFP260NPBF de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A

transistor MOSFET de changement rapide IRFP260NPBF de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A
transistor MOSFET de changement rapide IRFP260NPBF de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 200 V 50A (comité technique) 300W (comité technique) par le trou TO-247AC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Pulsed Drain Current:
200 A
Dissipation de puissance:
300 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire:
2,0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
±20 V
Énergie simple d'avalanche d'impulsion:
560 MJ
Courant d'avalanche:
50 A
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor MOSFET de puissance d'IRFP260NPbF HEXFET®

• Technologie transformatrice avancée ?

• Estimation dynamique de dv/dt ?

• température de fonctionnement 175°C ?

• Commutation rapide ?

• Entièrement avalanche évaluée ?

• Facilité de la parallélisation ?

• Conditions simples d'entraînement

• Sans plomb

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-247 est préféré pour les niveaux commercial-industriels de puissance plus élevée d'applications où exclure l'utilisation des dispositifs TO-220. Le TO-247 est semblable mais supérieur au paquet TO-218 premier en raison de son trou de montage d'isolement.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 50
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 35
IDM Courant pulsé de drain 200
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 300
Facteur de sous-sollicitation linéaire 2,0 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ±20 V
EAS Énergie simple d'avalanche d'impulsion 560 MJ
IAR Courant d'avalanche ? 50
OREILLE Énergie répétitive d'avalanche ? 30 MJ
dv/dt Récupération maximale dv/dt de diode 10 V/ns
TJ, TSTG Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -55 à +175 °C
La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas) °C
Montant le couple, 6-32 ou le srew M3 lbfïin 10 (1.1Nïm)

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
LM2662MX 5344 TI 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 TI 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 TI 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 TI 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 TI 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 SUR 13+ CONCESSION
LM2902DR2G 77000 SUR 15+ CONCESSION
LM2903DR2G 107000 SUR 15+ CONCESSION
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 SUR 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 TI 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 TI 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 SUR 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 SUR 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 SUR 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 TI 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 TI 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

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