La Manche d'usage universel du transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET d'IRF7601PBF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor MOSFET de puissance d'IRF7601 HEXFET®
• Technologie de la génération V
• Sur-résistance très réduite
• Transistor MOSFET de N-canal
• Paquet très petit de SOIC
• Profil bas (<1>
• Disponible dans la bande et la bobine
• Commutation rapide
Description
La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le nouveau paquet Micro8, avec la moitié de la région d'empreinte de pas du SO-8 standard, fournit la plus petite empreinte de pas disponible dans un contour de SOIC. Ceci fait au Micro8 un dispositif idéal pour des applications où l'espace de carte électronique est à une prime. Le profil bas (<1>
Capacités absolues
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
|---|---|---|---|
| VENTRES d'IDENTIFICATION @ = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 4.5V | 5,7 | |
| VENTRES d'IDENTIFICATION @ = 70°C | Courant continu de drain, VGS @ 4.5V | 4,6 | |
| IDM | Pulsé vidangez le actuel | 30 | |
| Palladium @TA = 25°C | Dissipation de puissance | 1,8 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 14 | mW/°C | |
| VGS | Tension de Porte-à-source | ± 12 | V |
| dv/dt | maximal de la récupération dv/dt de diode | 5,0 | V/ns |
| TJ, TSTG | Température ambiante de jonction et de température de stockage | -55 + à 150 | °C |
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| LD1117S25TR | 39000 | St | 13+ | SOT-223 |
| LD1117S33CTR | 32000 | St | 16+ | SOT-223 |
| LD39015M18R | 8024 | St | 16+ | SOT23-5 |
| LD39300PT33-R | 6785 | St | 14+ | TO-252 |
| LD7531AMGL | 16615 | LD | 16+ | SOT23-6 |
| LD7830GR | 9996 | LD | 15+ | SOP-8 |
| LDB212G4005C-001 | 56000 | MURATA | 14+ | SMD |
| LF25CDT | 21498 | St | 13+ | TO-252 |
| LF347MX | 7640 | NS | 00+ | SOP-14 |
| LFB212G45SG8A192 | 40000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LFCN-400+ | 1736 | MINI | 14+ | SMD |
| LFCN-80+ | 3554 | MINI | 15+ | SMD |
| LFCN-900+ | 3324 | MINI | 15+ | SMD |
| LFE2M100E-6FN900C-5I | 256 | TRELLIS | 16+ | BGA900 |
| LFXP2-8E-5TN144C | 1363 | TRELLIS | 16+ | QFP144 |
| LH1518AABTR | 3172 | VISHAY | 04+ | SMD-6 |
| LH1520AAC | 8563 | VISHAY | 13+ | SOP-8 |
| LH1540AABTR | 5958 | VISHAY | 00+ | SOP-6 |
| LH5116NA-10 | 14603 | DIÈSE | 13+ | SOP-24 |
| LHI878/3902 | 14674 | HEIMANN | 10+ | CAN-3 |
| LIS2DH12TR | 7611 | St | 15+ | LGA12 |
| LIS3DHTR | 4847 | St | 14+ | LGA16 |
| LL4004 | 15000 | St | 16+ | LL41 |
| LL4148-GS08 | 45000 | VISHAY | 15+ | LL34 |
| LLQ2012-F56NJ | 12000 | TOKO | 16+ | SMD |
| LM1086CSX-3.3 | 21569 | NS | 15+ | TO-263 |
| LM1086CT-3.3 | 15605 | NS | 15+ | TO-220 |
| LM111J-8 | 5202 | NSC | 15+ | CDIP-8 |
| LM19CIZ | 4073 | NS | 16+ | TO-92 |
| LM201AN | 4387 | SUR | 16+ | DIP-8 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC