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Module double P - la Manche, transistor MOSFET de transistor MOSFET de la puissance FDS6975 de PowerTrenchTM

Module double P - la Manche, transistor MOSFET de transistor MOSFET de la puissance FDS6975 de PowerTrenchTM
Module double P - la Manche, transistor MOSFET de transistor MOSFET de la puissance FDS6975 de PowerTrenchTM
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Vidangez actuel - continu:
-6 A
Dissipation de puissance pour le fonctionnement en parallèle:
2 W
Opération et température de stockage:
°C -55 à 150
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

FDS6975 double P-canal, niveau de logique, transistor MOSFET de PowerTrenchTM

Description générale

Ces transistors MOSFET de niveau de logique de P-canal sont produits utilisant le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la basse charge de porte pour la représentation de changement supérieure.

Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications informatiques d'ordinateur portable : commutation de charge et gestion de puissance, circuits de chargement de batterie, et conversion de DC/DC.

Caractéristiques

• -6 A, -30 V. LE RDS (DESSUS) = 0,032 W @ VGS = -10 V,

LE RDS (DESSUS) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V.

• Basse charge de porte (14.5nC typique).

• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS).

• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle.

Capacités absolues MERCI = 25℃ sauf indication contraire

Symbole Paramètre Estimations Unités
VDSS Tension de Drain-source -30 V
VGSS Tension de Porte-source ±20 V
Identification

Vidangez actuel - continu (Note 1a)

- Pulsé

 -6
-20
Palladium Dissipation de puissance pour le fonctionnement en parallèle 2 W

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

(Note 1B)

(Note 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Température ambiante d'opération et de température de stockage -55 à 150 °C

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES

RθJA Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 1a) 78 °C/W
RθJC Résistance thermique, Jonction-à-cas (note 1) 40 °C/W

Notes :

1. RθJA est la somme du jonction-à-cas et de la résistance thermique cas-à-ambiante où la référence thermique de cas est définie comme surface de montage de soudure des goupilles de drain. RθJC est garanti par conception tandis que RθCA est déterminé par la conception du conseil de l'utilisateur.

2. Essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2,0% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
IRF3707PBF 6217 IR 11+ TO-220
IRF5210PBF 2546 IR 15+ TO-220
IRF5800TRPBF 54000 IR 16+ TSOP-6
IRF6218PBF 8426 IR 06+ TO-220AB
IRF640NPBF 5610 IR 15+ TO-220
IRF640NSTRLPBF 4905 IR 16+ TO-263
IRF6638TRPBF 4492 IR 13+ SMD
IRF7303TRPBF 15463 IR 14+ SOP-8
IRF7328TRPBF 6288 IR 13+ SOP-8
IRF740B 49000 FSC 16+ TO-220
IRF740PBF 11487 IR 16+ TO-220
IRF7416TRPBF 23190 IR 16+ SOP-8
IRF7494TRPBF 9525 IR 14+ SOP-8
IRF7907TRPBF 12836 IR 13+ SOP-8
IRF8010PBF 17656 IR 16+ TO-220
IRF840PBF 14327 VISHAY 16+ TO-220
IRF8788TRPBF 21214 IR 12+ SOP-8
IRF9530NPBF 5539 IR 16+ TO-220
IRF9620PBF 3435 VISHAY 13+ TO-220
IRF9Z24N 9496 IR 16+ TO-220
IRFB3004PBF 8497 IR 09+ TO-220
IRFB31N20D 6973 IR 14+ TO-220
IRFB3207ZPBF 16234 IR 15+ TO-220
IRFB3306PBF 7959 IR 13+ TO-220
IRFB4227PBF 14319 IR 16+ TO-220
IRFB4310PBF 7645 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 5199 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 4735 IR 16+ TO-220
IRFB52N15DPBF 7716 IR 15+ TO-220
IRFI4019HG-117P 4847 IR 14+ TO-220-5

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Image partie # Description
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20pcs
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