IRLL024NTRPBF Transistor Mosfet de puissance HEXFET® Commutation rapide MOSFET de puissance
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Catégorie:
Gestion IC de puissance
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Pulsed Drain Current:
12 A
Linear Derating Factor:
8.3 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±16 V
Single Pulse Avalanche Energy:
120 mJ
Avalanche Current:
3.1 A
Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150 °C
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Array
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| Image | partie # | Description | |
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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs