Envoyer le message
Maison > produits > Gestion IC de puissance > Transistor MOSFET complémentaire de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFP044N

Transistor MOSFET complémentaire de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFP044N

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Catégorie:
Gestion IC de puissance
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Pulsed Drain Current:
180 A
Power Dissipation:
120 W
Linear Derating Factor:
0.77 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
230 mJ
Avalanche Current:
28 A
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor MOSFET de puissance d'IRFP044N HEXFET®

• Technologie transformatrice avancée

• Estimation dynamique de dv/dt

• température de fonctionnement 175°C

• Commutation rapide

• Entièrement avalanche évaluée

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-247 est préféré pour les niveaux commercial-industriels de puissance plus élevée d'applications où exclure l'utilisation des dispositifs TO-220. Le TO-247 est semblable mais supérieur au paquet TO-218 premier en raison de son trou de montage d'isolement.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 53
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 37
IDM Courant pulsé de drain 180
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 120 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,77 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 20 V
EAS … simple de ‚ d'énergie d'avalanche d'impulsion 230 MJ
IAR  actuel d'avalanche 28
OREILLE  répétitif d'énergie d'avalanche 12 MJ
dv/dt Récupération maximale dv/dt de diode 5,0 V/ns
TJ, TSTG Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage -55 + à 175 °C
La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas) °C
Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 10 livres-force•dans (1.1N•m)

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
SLB9635TT1.2 27768 16+ TSSOP
SLB9635TT1.2FW3.19 27852 16+ TSSOP
UPD16510GR-8JG-E1 3074 NEC 04+ TSSOP
SC16IS740IPW 2963 10+ TSSOP
SC16IS762IPW 1565 13+ TSSOP
SC18IM700IPW 15672 07+ TSSOP
TDA8024TT/C1 17562 12+ TSSOP
R5F211B1SP#UO 3310 RENES 09+ TSSOP
S1A0071X01-RO 2774 SAMSUNG 07+ TSSOP
S-8253CAA-T8T1G 11248 SEIKO 16+ TSSOP
SII9002CSUTR 14198 SILICIUM 07+ TSSOP
SIL1162CSU 4962 SILICIUM 16+ TSSOP
SP3232EEY-L/TR 17694 SIPEX 13+ TSSOP
S29AL032D70 2813 SPANSION 16+ TSSOP
SST39VF1601-70-4C-EKE 8700 SST 10+ TSSOP
ST3243ECTR-E 3824 St 07+ TSSOP
TS922AIPT 13012 St 13+ TSSOP
RT9284A-20GJ6E 15962 RICHTEK 16+ TSOT23-6
S29GL01GP13TFIV10 2339 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI010 15812 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI020 1832 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P90TFCR10 1961 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL256P90TFIR20 1712 SPANSION 14+ TSOP56
S29GL512P11TFI010 1412 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL512P11TFI020 1052 SPANSION 14+ TSOP56
SST39VF3201B-70-4I-EKE 10093 SST 16+ TSOP48
SST39VF6401B-70-4C-EKE 2246 SST 16+ TSOP48
TE28F800B5B90 1883 INTEL 16+ TSOP48
S29AL008J70TFI010 23520 SPANSION 12+ TSOP48
S29GL032A11TFIR4 13118 SPANSION 13+ TSOP48

Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs