IRFD120 Power Mosfet Transistor ic électrique N-Channel Power MOSFET
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Catégorie:
Gestion IC de puissance
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain to Source Breakdown Voltage:
100 V
Drain to Gate Voltage:
100 V
Continuous Drain Current:
1.3 A
Pulsed Drain Current:
5.2 A
Maximum Power Dissipation:
1.0 W
Operating and Storage Temperature:
-55 to 150 ℃
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Array
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| Image | partie # | Description | |
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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs